电动汽车用半导体集成电路应力试验程序_SJT11875-2022.docx

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1、ICS31.200CCSL55中华人民共和国电子行业标准SJ/T118752022电动汽车用半导体集成电路应力试验程序Stresstestprocedureforsemiconductorintegratedcircuitinelectricvehicle2022T。-20发布2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布III前言1范围12规范性引用文件13术语和定义1要求4.14.24.3、4.44.511123444445516192021通竟性评器件组物勾相似性.设计、塑封;磁兼容试验确定导则总则工作温度等级通用数据/结试验样品，应力试鳖后试验程n/Q/5.15.25.35.

2、45.5附录A附录B附录C附录D r HI 优b样品应非连续4.4.2 生干破坏性试验的器件除用于工程分析外用户01特定试验己用于非破坏性试验的 不可用于其他试验或供货。试验数据+工艺更改试 验数据周期性工艺可 靠性检测数据可接受 通用数据试3 圆批次以 批次。Bm开始生产周期性：各。性检测数据4.4.3试验样品的重用,UI时期数据有效性I相同的工艺流片、封装等生产场所生产，且品也应相同的生产设备和加工工艺。经确认:工艺更改用户IH工艺更改试验特定试验成，非连续品 可间隔至少一个产设备和加工工艺,其他测试场所完成电4.4.4抽样数案试验样品抽样数量和批次以及通用数据要求应满足表2中规定的最小抽

3、样数和接收判据。如果供应商选择使用通用数据替代实际试验，供应商应具备详细的证明文件（如报告或记录），且证明文件应记录有详细的试验条件和结果。现有可用的通用数据应首先满足本条和4.3的相关规定，包括参考通用数据确定表2试验项目的要求。如果通用数据不能满足这些要求，应对器件开展实际试验以确保满足要求。4.4.5试验前/后电测试要求表2中的“附加要求”栏规定了每项试验后的终点电测试温度要求（室温、高温和低温，适用时终点电测试的温度范围必须覆盖最严酷条件。4.5应力试验后失效判据准则器件参数不符合用户规格书、试验规定的合格判据或供应商规格书，则视为试验后发生失效。环境试验后出现外部物理性损伤视为失效。

4、经分析确定，失效原因属于操作错误、电应力过度（EOS）静电放电或其他与试验/测试条件不相关的因素，经供应商和用户双方认可，可不归为擀件失效，但应记录试验相关的数据。5试验程序5.1 通用试验表2给出了检验的相关试验项目和条件，对于每次检验过程，无论是针对产品的实际试验结果还是可接受的通用数据，供应商都必须具备相应的报告和试验数据证明文件。此外，需对器件组内其他器件进行审核，以确保该组器件不存在通用的失效机理。无论使用与否,供应商必须证明通用数据的有效性，并得到用户的批准。对每次检验，供应商必须提供以下资料：a）产品设计、结构和己有试验数据（如筛选试验数据等）；b）按表2确定的适用的检验大纲；c

5、）器件测试程序的故障覆盖率水平（某些复杂器件的性能或可靠性测试评估需借助软件并开发测试/评估程序），当用户要求时必须提供。表2的“适用类别”列规定了试验项目适用于特定器件类型的说明（例如某些试验项目仅适用于陶瓷封装器件，某些试验项目仅适用于非易失性存储器件等。表2的“附加要求”栏规定了试验项目的适用性、目的及终点电测试要求。任何未列入本文件的用户特定试验项目和条件要求，由用户和供应商协商确定。5.2 器件特定属性试验以下试验适用于所有器件类型（包括气密封装和塑封封装），并根据实际试验结果判定产品是否通过检验，不可使用通用数据替代：a）静电放电敏感度（ESDS）；b）闩锁效应（LU）；c）电参数

6、（在工作温度等级、电压和频率范围内，器件能够满足规格书的要求）；d）其他（如对供应商采取通用数据替代的试验项目，用户参考以往供应商合作和器件使用经验，要求需开展的试验项目）.5.3 器件更改的检验要求器件设计、工艺和结构等发生更改可能（或潜在可能）影响器件形式、装配、功能、质量和/或可靠性指标时，应重新检验，检验包括的试验项目按表3规定评估，试验项目及样品要求按表2规定，供应商应将器件更改内容及重新检验确定的依据及结果提交用户。5.4 工艺寿命可靠性评估采用新技术或材料的器件（无通用数据可用或通用数据无法覆盖），应针对以下失效机理开展工艺寿命可靠性评估。一般情况下，不需要对每种件都验证数据、核

7、查测试方法或计算方法、检:查内控标准或开展实际试验，但当用户需要时，应予以证明。a)Wc) d) e)电迁移（EM）；经时介质击穿（TDDB薄栅锐化层完整性试验如击穿电荷），适用于所有金属氧化物半导体 （MOS）器件；热载流子注入效应（HCD ,适用于1微米以下所有MOS器件；负偏压温度不稳定性（NBTD ； 应力迁移（SM） o保持（非失效机理一般器静态费Xv. ,lv,/采用阿纶纽斯 要求，该试验 立用环境。若使 Z参考其他失效 ，则不计入器件度应力选择的一机理、加持时间不规范规有差别，即取若器件 含非零位遍循环试验以及下文所述的擦写循环后高温数目的？ 口5.5非易失性存储器附5.5.1概

8、述非易失性 中B3分组）5.5.2静态非（Arrhe 周期并 用要求 机理的I 失效。5. 5.3 A性相关的试验（见表2于所有特定非易失 验流程见图2， 循环.擦写次数N一般情R）中给出了：兽（38只）采用室温条件进行擦写循环，另若以下方案试验最长时间不超过验擦写次数应达至I 最大擦写次数的10%. 证在50Oh内完成擦写循外 存储单元比例，某些情况下，部分盘写次数，其余50%氐源数据保持的组合试 （3,只Z则在高温下进行擦写 k首先采用，50%存储单元试 写次数应达到规格书要求 过500h,可调整试验方案保,增加最大擦写次数X10%的试验最大擦写次数X 10%,以保证器件所有存储单元都可以经受一定