模拟电路学习笔记.docx
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1、模拟电路学习笔记1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等2、反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念3、PN结具有一种很好的数学模型:开关模型d二极管诞生了d再来一个PN结,三极管诞生了4、高频电路中,必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容,反相偏置为势垒电容)5、点接触型二极管适用于整流,面接触型二极管适用于高频电路6、硅管正向导通压降O.7V,错管为0.2V7、齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态8、肖特基二极管(SChottky,SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低(02V)但是反向击穿电压较低,漏电流也较大9、光电二极管(将光信号转为电信号)10、二极管的主
2、要参数:最大整流电流,最大反相电压,漏电流11、三极管有发射极(浓度最高),集电极,基极(浓度最低)。箭头写在发射极上面其中P型衬底一般与栅极g相连21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt),耗尽型FET则不需要栅源电压,在正的VdS作用下,就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs,那么可能出现夹断,此时的电压成为夹断电压Vp*重要特性*:可以在正负的栅源电压下工作)22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的VCe)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe),而P沟道的MoS管需要负的VdS和负的Vt23、MOSFET主要参数:开启电压Vt,
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