最敏感的感测元件SQUID及其前瞻性应用2002.docx
《最敏感的感测元件SQUID及其前瞻性应用2002.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《最敏感的感测元件SQUID及其前瞻性应用2002.docx(16页珍藏版)》请在优知文库上搜索。
1、最敏感的感测元件SQUID及其前瞻性应用1 .前言:超导量子干涉元件(SuperconductingQuantumInterferenceDevice,简称SQUID)是目前所知最敏感的磁通侦测跟其独特的磁通与电压的周期特性使得SQUlD已被使用在精密测量,成为微弱物理量如磁场、磁场梯度、电流、电压、电阻、电感及磁化率等测量上最灵敏的感测元件。在生物医学应用上SQUID更可组成心磁波及脑磁波扫描仪,可立即显示生物的心磁或脑磁图像,以做为医学在心脏功能口或脑功能2临床辅助诊断工具。在材料的非破坏性检测等方面,SQUID已被研发来检测桥梁钢骨结构3、飞机起轮框等缺陷4;甚至最近已有人利用高温超导S
2、QUlD做地震5或考古6等的研究。另外,SQUID可制成的磁通显微镜7,8从事基础研究,及其在生物科技的抗体检测等9的研究上也有很广的前景。由以上看来,SQUID是一种非常有前睇性之精密超导电子元件。2 .认识S(XnDSQUID是由两个约瑟芬元件(Josephsonjunctions)以并联方式组成,它是由英文SuperconductingQuantumInterferenceDevice字首组成的简写字。图一所示为约瑟芬元件之示意图,而约瑟芬元件是由两边是超导体(三)中间夹着绝缘层(I)所组成的超导元件10,当两个约瑟芬元件(JoSePhSonjunctions)以并联方式组成如图二所示的
3、几何形状的元件,此元件俗称超导量子干涉元件或称之为SQUIDllo当绝缘层的厚度薄到几埃厚度的时候,则超导电子对(CoOPerpair)可由一边的超导体穿隧到另一边之超导侬宏观上超导体中的电子对可用波函数T=e”来描述,此处闭为波函数的振幅,i=V-1,,为两超导体间的相位差,即。二6.此图中的JoSePhSOn公式,I=LSin。,是描述流经元件的电流I与两超导体间的相位角,之间的关系,此处IC为临界电流。当流经约瑟芬元件的电流大于L时,元件会出现电压,V,此时相位差州电压V之间会满足另一Josephson公式,即dZ以=-4eVh,此处e为电子的电量,力为PIanCk常数。这种超导电子对的
4、穿隧行为是由英国科学家BrianJosephson所预测的,他经由量子力学方程式推导出直流及交流约瑟芬效应由他在穿隧物理的杰出贡献,因此分享了1973年的诺贝尔物理学奖。Josephson junction7xXXzzX/ = zzxzx = I-lcsin,=x-1,(I)票=窣(2)图一.超导体(三)/绝缘层(I)/超导体(S组成S/S儿何形状的约瑟芬元件。度约为5m,SQUn)洞的面积约为30x60?等尺寸。YBCO Josephson图二两个约瑟芬元件并联组成SQUlD。2.1 SQUID元件之制作:现在以YBaCIO(YBa)高温超导体为例子来说明如何研制YBCOSQUIDo基本上,
5、高温超导SQUID是由各种不同几何形状约瑟芬元件所发展出来的如图三所示的平面三明治、双磊晶、阶梯(SIep)、弱连结、双晶体及阶梯边缘(stepedge)等各种形式。高温超导SQUID较有前噂性应用则是以双晶体、阶梯及阶梯边缘(SteP-Cdge)等元件。我们现在则以阶梯边界接面为例子来说明其制程。研制阶梯式YBeoSQUID先要把基座以半导体的曝光、显影及蚀刻等技术做出阶梯,图四所示为实验室所发展出来的阶梯式基座的制程及蚀刻结果12。Mgo基座是藉由银胶与铜块接触达到水冷却的效果、MgO上面的FH6400为光阻,基座的法线与入射Ar+离子方向之夹角,。,可改变,以改变蚀刻速率及阶梯角度。右上
6、图四(b)是制程完成后经原子力显微镜检测其阶梯座角度与Ar+离子束入设角之关系,由图我们可以看出当入射角大于65。时,阶梯的角度可达70。;图四(C)则是制作MgO阶梯其蚀刻速率与角之关系。图五所示为约瑟芬元件之制程,制程方法是在为MgO阶梯式基座上镀上YBCO薄膜13;镀完YBCo薄膜然后再以曝光、显影及蚀刻等技术做出阶梯边缘约瑟芬元件。图六为完成制程后SQUlD元件之儿何形状,阶梯基座高度约0.2m,薄膜厚度约0.2m,元件宽图三(a)平面三明治,(b)双磊晶,(c)阶梯,(d)弱链结构,(e)双晶体,及(f)阶梯式等约瑟芬元件。图四(a)可改变Ar+离子入射角度的旋转铜样品架,(b)阶梯
7、式基座角度与入设角之关系,(C)阶梯蚀刻速率与角之关系。Fabricationofstep-edgeJosephsonjunctions(a)(b)图五.(a)在MgO阶梯式基座上镀上YBCOGeometrical configuration of de SQUIDPrinciple of de SQUID薄膜;(b)将YBCO薄膜以曝光、显影及蚀刻等技术做出约瑟芬元件。图六.以曝光、显影及蚀刻等技术做出阶梯式SQUlD元件。I-V curves of a step-edge YBCO junctionunder microwave irradiation图七外加频率为F=7.5GHz电磁波于
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 敏感 元件 SQUID 及其 前瞻性 应用 2002