单片机课程设计的报告实验报告.docx
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1、课程设计报告学号:1328403028姓爸张帅华班级:13电子信息工程指导教师:邓晶苏州大学电子信息学院2016年4月摘要随着时代的进步和开展,单片机技术已经成为一种比较成熟的技术,普及到我们生活、工作、科研等各个领域。本次课程设计包含四个基于STC89C52单片机的设计,分别是:基于单总线数字式温度传感器DS18b20的数字温度计的设计;基于2K位串行CMOS的EEPROMAT24C02的数字密码锁的设计;基于SPl接口实时时钟芯片DS1302的电子日历的设计以及基于无线收发芯片nrf24L01的简单无线通讯系统的设计。关键词:单片机DS18B20T24C02DS1302NRF24L01目录
2、摘要1目录2第1章基于DS18B20的数字温度计设计311.31.2系统组成313*313.1r*31. 3.2软件设计41.4设计结果6第2章基于AT24C02的电子密码锁设计72. 1设计要求72. 2系统组成72. 3系统设计82. 3.1硬件设计82. 3.2软件设计92. 4设计结果9第3章基于DS1302的电子日历的设计113. 1系统功能H4. 2系统组成115. 3系统设计113. 3.1硬件设计114. 3.2软件设计133.4设计结果14第4章基于NRF24L01的无线通信系统的设计15二 匕L.戈匕件 h V Gc 力Flf幻硬H5. 15.25.344.3.2软件设计1
3、64.4设计结果16第1章基于DS18b20的数字温度计设计1.1设计要求(1)采用DS18b20与单片机STC89C52相结合设计数字温度计,实现液晶屏实时显示当前温度;(2)读取并显示DS18B20的序列码。1.2系统组成本方案设计的系统由单片机系统、数字式温度传感器DS18B20和LCD1602显示模块组成。DS18B20:DS18B20是单线式数字温度传感器,与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯;有温度测量范围宽,测量精度高的特点;同时它的供电方式灵活,可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源;测量参数可配置,其测量分辨率可通过程序设定为912位。1.
4、CDI602:1602液晶也叫1602字符型液晶,是一种专门用来显示字母、数字、符号的点阵型液晶模块,它由假设干个5x7或者5x11的点阵字符位组成,每个点阵字符位都可以用显示一个字符。1.3系统设计1.3.1硬件设计图IT数字温度计硬件原理图在本次系统设计中,STC89C52单片机作为控制器,完成所有功能的控制,包括:(1)DS18B20数字温度传感器的初始化和读取温度值;(2LCDI602显示驱动与控制。以数字式温度传感器DS18B20作为传感元件。DS18B20是单总线数字式温度传感器,采用单总线协议,即与单片机接口仅需占用一个I/O端口,无需任何外围器件,直接将温度转化为数字信号,以数
5、字码形式串行输出。可由一根I/O数据线既供电又传输数据。DS18B20直接读取被测温度值,送到LCDI602上进展显示,LCD1602可以显示两行字符,每行16个字符,只能显示ASCIl码字符。本实验中需要显示的数据是温度和DS18B20的唯一序列码。总体架构如图IT所示。将18B20的单总线DQ与单片机接口P2.2相连,通过时序控制首先对其进展初始化,然后发送读写和温度转换命令,使DS18B20内部温度传感器开场工作,最后从温度存放器中读取两字节二进制码,转换为温度值后显示在LCD上。同理,对于序列码的读取,也要在18B20初始化成功的根基上,发送读ROM命令(该命令只适用于总线上存在单只D
6、S18B20),将读取的字符显示在液晶屏上。1. 3.2软件设计主程序:图1-2主程序流程图先进展初始化,该初始化包括DS18b20的初始化和液晶屏的初始化。DS18b20的初始化是为器件应答准备,作为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480960微秒的低电平出现,如果有,在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲,告诉主机本器件已做好准备;液晶屏的初始化是为显示温度准备;调用显示子程序显示当前检测到的温度值;不断刷新温度数据进展实时显示。DS18B20的初始化:图1-3DS18B20初始化时序图初始化流程:将总线拉低480us9
7、60us拉高总线,假设DS18B20做出反响会将在15us60us后将总线拉低等待DS18B20拉低总线图1-4DS18B20初始化流程图DS18B20读字节和写字节子程序:图1-5写字节子程序流程图图1-6读字节子程序流程图写字节:写周期最少为60微秒,最长不超过120微秒。写周期一开场主机先把总线拉低1微秒表示写周期开场。随后假设主机想写0,那么将总线置为低电平,假设主机想写L那么将总线置为高电平,持续时间最少60微秒直至写周期完毕,然后释放总线为高电平至少1微秒给总线恢复。而DS18B20那么在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开场对总线采样,在采样期内总线为高电平那
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