半导体紫外发射二极管第3部分器件规范_SJT11818.3-2022.docx

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1、ICS31.260CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJZr11818.32022半导体紫外发射二极管第3部分:器件规范Semiconductorultraviolet-emittingdiodesPart3：SpecificationforDevices2023-01-01 实施2022To-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言引言IIIIVI范围规范性引用文件1术语和定义1产品分类.3技术要求35检验规则.6标志、储11寸，件封15除电(1检验方法.附录A(附录B(附录C(I存:Y本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则定起草。本文件为SJ/T11818半导体紫外发射二

2、极管第】部分：标准化文件的结构和起草规则的规的第3部分.股份有限公司、原门多彩光电子科技有限 一限公司、华南理工大学。郑剑飞、刘东月、袁毅凯、李请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子标准化研究院(CESI)提出并归口。本文件起草单位：鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研公司、中国电子科技集团公司本文件主要起草人：宗涛。SJ/T11818半导体紫外发射二极管系列标准拟由三个部分构成:第1部分：测试方法；第2部分：芯片规范；第3部分：器件规范。半导体紫外发射二极管第3部分：器件规范

3、1范围本文件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、 检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。本文件适用于峰值波长范围在200 nm4O0 nm遛件的制造和使用，峰值波长400 nm420 nm的 器件可参照执行。458子器件方法2422-2016l-2012法 了法 宁法 宁法 了法：温度变 ：密封导体器件机械和气候试验方法第2商 分立器件和集成电路37031- 202规范性引用文件下列文件中的 仅该日期对应的第文件。GB/T GB/T GB/T GB/T GBGB GBGBGB/1 GB/1, GB GBzrGB 3102GBrr GBZT GB

4、/T GB/T规范性引用而构成本文件必 件；不注日期的引用文件，其最新逐中，注日期的引用文件,汾NJ.的修改单）适用于本-#2016-201920082012-2013E试验 第2蹄223.12时2fifi2rfjj第2部分: 第2部分： 第2部分： 第2部分:第2部分04电工术语照明I、光及有关电磁辐射的量和单位6、半导体器件第10部分：分立器件和集成必49.37.7201815651SJ/T 113942009SJ/T 11818.12022温 温 亘定湿热试验 J:冲击 力（正弦）方法潮佥X喇蚀试验e：流动限（AQL源案的逐批检验抽样计划3术语和定义GBb2900.652004、GB31

5、02.61993、GB/T15651-1995、GB/T370312018界定的以及下列术语和定义适用于本文件。注：为了便于使用，以下重复列出了GB/T2900.652004、GBfT156511995中的某些术语和定义.3.1紫外辐射ultravioletradiation波长小于可见辐射波长的光学辐射。按照紫外辐射波长，通常分为以下三类：a） UV-A：315nm400nm；b） UV-B：280nm315nm;c） UVC：200nm280nm.来源：GB/T2900.652004,845-01-05,有修改3.2紫外发射二极管IlItraViOiet-emittingdiodeUVLE

6、D在一定电流激励下，可发射紫外光的半导体二极管。3.3辐（射）通量radiantflux辐射功率radiantpowere;P以辐射的形式发射、传输或接收的功率。注：单位为瓦（W）来源：GB/T2900.652004,845-01-243.4辐射强度radiantintensityIc离开辐射光源的、在包含给定方向的立体角元dP内传播的海射通量dd除以该立体角元。简称辐强度。注：单位为瓦每球面度（Wsr）.GB/T2900.652004,845-01-303.5辐射效率radiantefficiency禽射源发出的辐射通量与其消耗的功率之比。来源：GB/T2900.652004,845-01-

7、543.6峰值发射波长peak-emissionwavelength%辐射功率最大值所对应的波长。简称峰值波长。注1：单位为纳米（nm）,注2：连续谱中峰值波长为辐射功率最大值所对应的波长.注3：多波长器件会有多个峰值波长.来源：GB/T156511995,4.2.6.13.7光谱半宽spectrumwidthofhalfvalue光谱辐射功率等于或大于最大值一半时的波长间隔。注1：单位为纳米（nm）.3.8半强度角half-intensityangleOm在辐射图中，辐射（或发光）强度等于或大于最大值的一半所对应的夹角（见图D3.9Tc在器件灌 定的温度测注：单彳4.2按输入4产品4.1按类

8、紫外0 mOOmW:5技术要求注1：单位为度C ）注2：半强度角仅适用在:来源：GBZr管壳温度15 nmnnnatmAXXXDlW辐射强度k见6.2.2Tf=mAXXmWsr辐射效率f见6.2.2=mAXX%峰值波长Ap见6.2.2而=mAXXXnm光谱半嵬见6.2.2=mAXnm半强度角n见6.2.2,mAXXO*适用时.*该值为最大辐射强度5.5 可靠性要求5.5.1 环境适应性除另有规定外，环境试验后应符合以下规定：a）外观符合5.2的规定；b）正向电压、反向电流、辐射通量、峰值波长符合表7中Bl分组终点测试要求。5.5.2结-管壳热阻结-管壳热阻（及冰JQ）不超过表3规定的结-管壳热

9、阻限值。正向电压温度敏感系数K测试条件.热阻测试条件、结-管光热阻0CZW/M：fr50,以器件导通且无明显自发热为宜；Tmin：25；Tmsx：N7：7ef:（Tmax-Tkin）/M且N23hi：按规格书4值.X表3热阻要求*/F=额定电流，/M=K系数测试用小电流，%n=温度范围下限，TmX=温度范围上限，方=结温极限值，看他=温度改变步长.N=温度梯度点数量./H-加热用大电流.源和选取合适的飞5.5.5 静静电见附录C提升护性能。5. 5.6符合7.216检验句电流按SOT 113942009方法1003进行正向电压按SJ/T 113942009方法 测量。得存5. 5.1规定。5.

10、5.3抗硫化性能G按6.5进行腐班不含银、5.5.4密封详细规力于硫化反应的物质时，本条不适用。关M验参数。6.1 检验除另有关a）温度：b）相对湿度：45%c）气压：866.2光电特性6.2.1 电特性6.2 .2辐射特性辐射特性按SJ/T11818.12022规定的方法进行测量.项目包括：辐射通量、辐射强度、辐射效率、峰值波长、光谱半宽度和半强度角。6.3 环境试验环境试验按表4规定进行。合格性判定按5.5.1要求。表4环境试验序号项目引用标准条件试验时间/频次1高温高湿工作GB/T2423.320167m=850C;RH=85%：/M按规格书要求或7m=60oC;RH=90%；儿按规格书要求500h2高温工作GB/T2423.2-20087M=85oC:/Mx按规格书要求100Oh3高温贮存GB/T2423.2-20087m=100oC100Oh4低温贮存GB/T2423.12008Tk=-40100Oh5温度循环GB/T2423.222012Tm=-40(Z=15min)-100oC(/=15min)100个周期6耐焊接热GB/T2423.282016GB/T2423.282016方法IA7振动GB/T2423.102008200ms2,100HZ2000Hz100Hz,X、Y、Z每个方向4min4个周期(48min)8冲击GB/T2423