半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管详细规范_SJT11866-2022.docx

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1、ICS31.260CCSL45中华人民共和国电子行业标准SJ/T118662022半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管详细规范Semiconductoroptoelectronicdevices一Detailspecificationforpowerwhitelight-emittingdiodesonsiliconsubstrate2023-01-01 实施202270-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言引言范围规范性引用文件IlIIV术语和定义要求检验方法检验规则.包装、运输利底特性曲线:衬底电耐久其他说明，附录A附录B附录C1115-UL-A刖三本文件按照GB/T1.1-2

2、020标准化工作导则定起草。本文件属于发光二极管器件系列标准，是GB第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规363582018半导体光电子器件功率发光.二极管空白详细规范下的详细规范。发光二极管器件系列标准已出版了以下几个部分：GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范;GB/T125651990GB/T36358-2018SJ/T114002009GB/T3636020请注意本文件的本文件由中国本文件起草限公司、南昌光4深圳市长方子工程有限二极管空白详细规范；空白详细规范；白详细规范。半导体器件光电子器件分规范;半导体IJ秀娟、江糠那健勇、白莹杰、展促进会、

3、本文4斌、刘志区LED品牌发盟。:涛、王志、陈赤院归口。人：、洪涂洪平、封波（江西）有限公司、中国电子技术究院有限公司、中节能晶和科技有限公司J秘技有限公司、长中国光学光啤学上技有限公司、江西行晶能半导体有M车照明有限公司、公司、上海三思电利邛、曾平、涂鸿半导体光电子器件 半导体光电子罂件 半导体光电子器件 半导体光电子器件1.ED器件系列规范规定了LED器件的基本特性及评价要求，为LED器件产品的测试、评价等提供适当的依据。硅村底白光功率发光二极管详细规范是LED器件系列空白详细规范的细化，主要规定了硅衬底白光功率发光二极管的要求、基本额定值和特性、测试方法、质量保证规定等内容。该系列标准包

4、括：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范；半导体器件光电子器件分规范:功率发光二极管空白详细规范；小功率发光二极管空白详细规范；中功率发光二极管空白详细规范。硅衬底白光功率发光二极管详细规范。半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管详细规范1范围本文件规定了硅村底白光功率发光二极管的详细要求，包括器件结构、性能要求，检验方法，检验规则以及包装、标志、运输和储存等。本文件适用于硅衬底白光功率发光二:“器件”）的生产、研制和检验。F产品坏总玲：试验方法2423.2电路,4羊细规范3、导体发光二极管测试方法242124鸣1卜2006半留科4（W1B分：总贝部分：I2012200!)：温度变

5、方法试制1()08 E；不注日期的引用文件，其最1试验第2部分:第2部分:第3部分:第4部分：试j法200620189()功率发半半导体照明术语2规范性引用文件下列文件中的内 仅该日期对应的密用而构成本其中,注日期的引用文件, 有的修改单）适用于本文件。GB/T GB GB/T GB 循环)GB GB GB GBGB/T GB/T GB/T GB/TSJ/T 113 IEC 60191 devices - Part 2:3术语和定义GB 370312018 界定下4要求AX低温 温:恒定湿热试验热（12 h+12 h4.1 总则器件外形结构应符合附录A的规定。器件应符合GBzT36358201

6、8和本文件的规定，本文件与GBZr363582018的要求不一致时，应以本文件为准。4.2 材料、结构与工艺4.2.1 材料器件符合GB/T363582018的规定，其类型包括表面贴装等形式，其发光材料包括硅基氮化做和荧光粉，其封装材料包括有机硅、陶瓷及其他，其芯片包括单芯片和多芯片。4 .2.2外形尺寸器件外形尺寸应满足附录A的要求。5 .2.3极性标志器件极性标志应满足附录A的要求。4.3 绝对最大额定值和特性4 .3.1绝对最大额定值绝对最大额定值见表1。表1绝对最大额定值序号参数符号数值单位最小值最大值1贮存温度Tvlg-401252工作温度Tamb-40853管壳温度7c-40125

7、4焊接温度（规定最长焊接时间）Tdd一260100CS5反向电压PR:一5V6管无度为25下的直流正向电流（规定的脉冲条件下）N一3000DlA7管光温度为25P下的峰值正向电流（规定的脉冲条件下）ArM5000mA8静电敏盛电压.Fesd8000V9管壳温度为25P下的耗散功率Pm10W人体模式，针对配齐纳管的器件.5 .3.2光电及色度特性光电及色度特性要求应符合表2的规定。光通量和电流，电压和电流特性曲线应符合附录B的规定。表2光电及色度特性序号特性符号条件除非另有规定Jb=25C要求单位试验分组最小值最大值1正向电压Vv*=350mA一3.5VA2b2反向电流Fr=5V1AA2b3光通

8、量vi=350mA110ImA34半强度角Oin斤=350mA114OC2a5显色指数（要求时）&fr=350mA60KA46相关色温KPfr=350mA180015000A47色品坐标Xyfr=350m0.5490.4080.2640.267A48热阻=350m.10KTWC2a4.4 环境适应性4.4.1 可焊性对器件进行可焊性试验后，其性能参数应满足表4的要求。4. 4.2温度循环在高温125保持30nin和低温-40OC保持30min的条件下进行100个周期温度循环试验后，其性能参数应满足表4的要求。1.1.1 4. 3湿热循环在高温85和相对湿度85%条件下进行168 h湿热循环试验

9、后，其性能参数应满足表4的要求。4.4.4 耐焊接热性能参数应满足表5的要求。4.5电耐久4的规定，加应求。电放电1进行5检险5. 1. 1 标;条件和方法进行试验。性能在温度为260的焊足表4、表5的要求。4.4.5 稳态湿热器件分别在5 试验后，其性电工作104.6静5.1测试本文件5.1.2加电工95%条件下进行12 h+12 h的2电工作168 h翁Jl棒I ar脸应在GB/T 4937. 1 2006规定的标准大气条件按 GB/T 4937、一5.1.3试验条件和方;按 GB/T 4937.1200 SJ/T 113942009 中 4. 1 的规定进a）温度：18-26；b） 环境

10、湿度：20%60%;c）测试系统接地良好，接地电阻不大于4 C。个周期循环稳态湿热参数测试时，测试条件应按4.2 结构按GB/T363582018的规定，对照附录A进行.4.3 光电和色度特性5. 3.1正向电压按SJ/T113942009中方法1001进行。1.1.2 反向电流按SJfT113942009中方法1003进行。1.1.3 光通量按SJfT113942009中方法2003进行。1.1.4 半强度角按SJTT113942009中方法2002进行.1.1.5 3.5显色指数按SJ/T113942009中方法4004进行.1.1.6 相关色温按SJ/T113942009中方法4004进

11、行。1.1.7 色品,坐标按SJ/T113942009中方法4002进行。5.4 热阻按SJ113942009中方法5003进行.5.5 环境适应性5.5.1 可焊性可焊性试验按GBZr4937.212018的规定进行.5.5.2 温度循环器件在-40OC保持30min,然后升温40min至125oC,在125。C保持30min,后降温15min至-40,循环100个周期，温度循环试验按GB/T2423.22-2012的规定进行.5.5.3 湿热循环按GB/T2423.42008的规定，器件在高温85和相对湿度85%条件下进行168h试验。5.5.4 耐焊接热在温度为260的焊槽，器件引出端保

12、持IOs深度浸渍，耐焊接热试验按GB/T2423.28-2005的5.4规定进行.5.5.5 稳态湿热器件分别在55和相对湿度95%条件下进行12h+12h的2个周期循环和6个周期循环，稳态湿热试验按GB/T2423.32016的规定进行。5.6 电耐久性按GB/T4589.12006的3.10.2的规定，施加规定的正向电流，分别进行168h和100Oh的电耐久性试验。5.7 静电敏感电压按SJ/T11394-2009中方法6001进行人体模式静电放电敏感度分级试验。6.16检验规则通则器件的检验规则应符合GB4589.12006和本文件的规定.6.2检验分类6.3从器件加工开始，采用同一组原

13、材是 一个能追溯到所有器件加工步6.3.1器件批件构成一个器件批次。每个器件批次应给定或多个器件制造批成。6.4抽样定进行。6.5-检验批工艺由设计缺修厮6.6期检验。按G质量6.76. 7. 1通则f从检验批中随机抽取器件，按表3.各分组的测试可按任意顺序进行。6. 7.3 B组检验6. 7.2 A组检验6.3.2检验批一个检验批由同赞艘警分组采用加嘴一 的批样修果失效夕组检验而有效剔除小折并1；或者:按双倍木不合格的情况F应停陷，5起F得重新度量一致重新质量每一检验B组和C组检验,、组和组检验合格的批可匕 格后方可恢复交付。会蝮求时，应进爷O如确认该失 、反映产品具有 格判定数为零 升效是由于基本j前应按本文件的规定进行质患一致性方验为逐批检验，C组为周期检验