半导体紫外发射二极管第1部分测试方法_SJT11818.1-2022.docx
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1、ICS31.260CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJ/T11818.12022半导体紫外发射二极管第1部分:测试方法SemiconductorultravioletemittingdiodesPart1:Measuringmethods2022-10-20 发布2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布目次前言I引言II1范围12规范性引用文件13术语和定义14测试条件24.1 一般要求24.2 测试场所24.3 环境条件24.4 管壳温度24.5 工作姿态24.6 预热稳定24.7 操作要求34.8 仪器35.1 供电电源35.2 电学测试仪器35.3 积分球-光谱仪系
2、统35.4 测角仪-紫外探头-光谱仪系统46测试步骤56.1 一般要求56.2 辐射照度56. 3辐射强度、辐射强度分布和半强度角66.4 辐射通量和辐射效率66.5 峰值波长、中心波长和光谱半宽77报告结果87.1 一般要求87.2 般信息87.3 被测器件信息87.4 测试流程信息97.5 数据信息98安全防护9参考文献IO本文件按照GB/T1.12020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是SJ/T11818半导体紫外发射二极管的第1部分。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。股份有限公司、三安光电股份有限公G TCL半
3、导体光源研究院、广为方科技股份有限公司、 市鸿利乘一光电科 通尚光电有限公司本文件主要 彭振坚、洪 爱军、许子本文件由中国电子技术标准化研究院(CESD归口。本文件起草单位:广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团雄、周钢、刘秀娟、吕天刚、时军、楙里、吴乾、葛莉荽e磊、陈志涛、刘宁炀、 林、袁毅凯、麦家儿、颜研究院、广东省半导体产业技术研究院、科学院半导体研究所、北京集创北连工业大学光子学研究所、广州半导体科技有限公司、杭州SJrr11818半导体紫外发射二极管系列标准拟由三个部分构成: 第1部分:测试方法; 第2部分:芯片规范; 笫3部分:器件规范。1范围半导体
4、紫外发射二极管第1部分:测试方法本文件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)辐射度参数测试方法,包括测试条件、测试仪器、测试步骤等。本文件适用于峰值波长200nm400可参照执行。420nm器件的测试方法)T)19ntcns1)O物测试方法(CE63:3;100180097LE:文件;不注H期的引用文件,方法OfLEDs)%IY2018/图1辐射图及相关特性2规范性引用文件下列文件中出仅该日期对应供文件。GB/TGBZTGBSJZTflClE3术语GB3.1半强n在辐射量PJ规范性引用而构成本文件必中,注日期的引用文件,括雇有的修改单)适用于本(或发光)强度等于或大于最大值的一半所对应注1
5、:单位为度C)注2:半强度角仅适用在被测器件的辐射强度分布中只有一个峰值的情况下.4测试条件4.1 一般要求被测器件应在规定的测试条件下采用适用的测试仪器和测试步骤进行测试。测试条件包括测试场所、环境条件、管壳温度、工作姿态、预热稳定、操作要求。测试结果应在规定的测试条件下获取。所有测试必须溯源至SI单位。报告结果应包括测量不确定度的声明,测量不确定度通常以在置信概率尸95%(包含因子k=2)的扩展不确定度形式给出。4.2 测试场所测试场所应保证紫外探头只接收需要被测试的紫外辐射。在光学暗室中,杂散光的照度应不大于0.1仅。如果有显著杂散光,相应的测试结果需进行修正,将随被测器件位置变化的杂散
6、光从测试仪甥读数中扣除。测试场所应保持清洁干净,无腐蚀性气体,周围环境无影响测试仪器正常工作的粉尘、震动和电磁场的干扰。4.3 环境条件对于使用热沉或其他热管理方法控制管壳温度才能保证正常工作的被测器件,其环境温度Amb为25oC10oC.对于未使用热沉或其他热管理方法控制管壳温度保证正常工作的被测器件,其环境温度Amb为25oC+C.环境温度应在被测器件的同一高度周围环境进行测试,一般为水平距离Im以内。环境温度测试不应受到被测器件的直接辐射影响,因此温度探头应进行遮挡,以防止被测器件直接辐射到温度探头。测试场所控温设备和任何加热器的布置应保证气流和热辐射不直接朝向被测器件或温度探头。温度计
7、的最大允许误差应不大于0.5P,读数分辨力优于(含)0.1,相对湿度范圉:20%65%。气压范围:86kPa106kPa。被测器件应在无对流风状态下进行测试,风速不大于0.2ms。对于测角仪-紫外探头-光谱仪系统,应调节被测器件运动速度以满足气流的要求。4.4 管壳温度对于使用热沉或其他热管理方法控制管壳温度的被测器件,其管壳温度久为25C或制造商声称的温度。对于未使用热沉或其他热管理方法控制管壳温度的被测器件,其管壳温度K不作监测。管壳温度应使用J型、K型热电偶或者热敏电阻进行测试。需要注意,管壳温度探头的安装方式不应影响到被测器件的紫外辐射输出路径,不应影响被测器件的热状态,与被测器件的表
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