半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范_SJT11850-2022.docx

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1、ICS31.080.30CCSL42中华人民共和国电子行业标准SJ/T118502022半导体分立器件3DK2219A3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductordiscretedevices2022To-20 发布DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorof3DK2219A,3DK2222Aand3DK2222AUB2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布-2-A刖三本文件按照GBZT1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草

2、规则的规定起草。本文件起草单位:、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术本文件主要起草人:请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的贡任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SACfTC78)提出并归口。研究所。宋凤领、赵听、高盼红、朱伟娜。半导体分立器件3DK2219Av3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范1范围本文件规定了 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。2规范性引用文件器件机3术语彳4要求屏范性引用而构成本文件， 于本文件；不注日期的引用文件，

3、其最新4.2设计、结构和外形尺寸下列文件中的用 仅该日期对应文件。GBZT GB/T GB/T GB GB/1：试验方法其中,注日期的引用文件, 泊的修改单）适用于本458Tn20064r-Z)95112018GBt 937. -20181GB/T112018GB E ll 987GB10+1999亮修分立器件夕本文件的术语和定义。4.1总则器件应符合本文件的所有 质量评定类别符合GB/1极型晶体邕分：分立器佛”电路4 试验方法气候试验方法森分：气候试验方法：i： 验方法T,一隼I线牢固度） 15部分：米型第串件的耐焊接热 部分：，磐I为规定。质量评定类别为II类。4.2.1器件设计、结构芯片

4、采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。4. 2.2外形尺寸3DK2219A外形符合GB/T7581-1987中A3-02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表11.发射极，2.基极，3.集电极图1 3DK2219A外形图表13DK2219A外形尺寸单位为亳米符号尺寸数值最小标称最大A6.106.58a5.08b1.01bi0.4070.508D8.649.65Dl8.018.50J0.7120.7870.863K0.641.ML12.50一25.00Ia一1.273DK2222A外形符合GB/T75811987中A3OlB型的规定。外形图见图2,外形尺寸见表2。.巨咆X单位为亳米3DK2

5、222AU1.1.基极，2.发射极，3.集电极，4.与盅板相连1.发射极，2.基极，3.集电极j*IHrW*J*,rlo.J50x(m)外形尺寸见表3。图33DK2222AUB外形图表33DK2222AUB外形尺寸单位为毫米符号尺寸数值最小标称最大D2.92一3.25E2.162.74A1.171.42L0.560.96Li0.43一0.89e1.812.01b0.410.614.3最大额定值和电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表4。除非另有规定，A=25oC.表4最大额定值参数符号数值单位戢小值最大值工作环境温度Tt-55125贮存温度Tltg-65200最大集电极-基极直流电压Fcbo

6、一75V最大集电极-发射极直流电压Fceo50V最大发射极基极直流电压Febo6V最大集电极直流电流Icm800mA最大总耗散功率%500(3DK2222A、3DK2222AUB)800(3DK2219A)mW最高结温Tjm200oC结-环境热阻(j)325(3DK2222A、3DK2222AUB)195(3DK2219A)0CZW4.3.2电特性电特性见表5。除非另有规定，n=25oC表5电特性名称符号条件单位数值坡小值最大值正向电流传输比AfeiFce=IOV,fc=0.1mA50一正向电流传输比fbFcb=IOV,Ic=ImA75325正向电流传输比fiFce=IOVfc=10mA100

7、正向电流传输比zfe=50mA,fc=500mAV一1基极-发射极饱和电压E(Mt)=15mA,fc=150mAV1.2基极发射极饱和电压E(sst):=50mAfc=500mAV2集电极基极截止电流Icoai=0,Fcb=75VA一10名称符号条件单位数值最小值最大值集电极-基极截止电流fcJ=0.%B=60VA0.Ol集电极-发射极电流IcesFce=50VA0.01(3DK2219A)0.05(3DK2222A、3DK2222AUB)发射极-基极截止电流IEBolfc=0,PEB=6VA10发射极-基极截止电流IEHOifc=0,eb=4VA0.01高温下的集电极-基极截止电流CBO32

8、廿一K舞卷Af、A10正向电流传输比,1,fe6AWvJSofe/:、&7小信号共发射极短路巧财碌传瑜比幅值Q户100MHz导通时间/S./onb=15mA.A：=150m35关断时间/圣/Ioff=15mA,A=I50mAns)300共基极输出螭4/里昂津V,=0涵箍稣1MHZ.78共基极输史/FIP再3c=o.OV1MHzP瞥之25GB/Tla括以i三JM别标,现991HRRHHF、3费2222A市检验批I5质量评定程】5.1抽样抽样方案按GB/T1费鲤5.2试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表6表9的规定.CHNoN表6A组逐批检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，7250C50C

9、(见GB/T4589.12006的4.1)检验要求极限值单位UTD最小值最大值Al分组外部目检GB/T4589.1-20064.3.1.1标志清晰，表面无机械挨伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比AaoiZbfGB/T45871994IV,1,2.1(iBT45871994IV,2,1=0,375VFcb=IOV,Jb=I50m短路：cB100开路：ra51.0A2b分组集电极-基极截止电流集电极基极截止电流集电极-发射极电流潮极一国S截止电流发射极基极截止电流CBO:无BOIIces也DOlUBO2GB/T45871994IV,b2.1GB45871994V,b

10、3GB/T45871994IV,1,2.2Jfe=O,%b=75V=0,Fcb-60V发射极-基极短路b=0,F=50Vfc=0,Keb=6Vfc=0,F=4V100.010.01(3DK2219A)0.05(3DK2222A,2K2222AUB)AAAAAA5A3分组正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比基松发射极饱和械集电极-发射极饱和电压feAFEJAfe3nfes%Hm)%3E(MZFCE(aM)l2W)2GB/T45871994IV,2,7GB/T45871994IV,L5GB/T45871994IV,1,4Fce=IOV,fc=0.1mAF=10V,

11、fc=lmAFcu=IOV,HlOmAFce=IOV,fc=150mAVat=IOV,fc=500mfe=15mA,fc=150mAfe=50mA,r500mA=15mA,AC=I50mAb=50mA,fc=500mA5075100100303253001.22.00.31VVVV5A4分组小信号共发射极短路正向电流传输比幅值导通时间关断时间IAfel小/offGB/T45871994IV,L13.2GB/T45871994IV,1,12GB/T45871994IV,1,12%e=20V,fc=20mA/=100MHzfe=15mA,50mA=15mA,fc=150mA2.535300nsns注：全部试验都是非破坏性的（见GB/T4589.12006的3.6.6）检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，7=25oC5oC(见GB/T4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值最大值BI分组尺寸GB/T4589.120064.3.2测4、p。、q。/、pd)、L(3DK2219A3DK2222A)测/、。、E、L(3DK2222AUB)见图1、图2、