半导体光电子器件灯丝灯用发光二极管空白详细规范_SJT11817-2022.docx
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1、ICS31.260CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJ/T118172022半导体光电子器件灯丝灯用发光二极管空白详细规范Semiconductoroptoelectronicdevices-Blankdetailspecicationforlight-emittingdiodesforfilamentlamps2022T0-20 发布2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布前言III引言IV1范围1要求订货资料,术语和定义116试验条件.7份磁|、刘秀、葛莉ML张志4589. 1-2006半导体器件 第10部分分立器件和集成电路总规范;12565-1990半导体器件光电
2、子器件分规范;二极管空白详细规范; 空臼详细规范; 详细规范。识刈专利的责任。GB/T GB GBGBZTGBZT36358-2018 半导36360-201836359-股山市阔限公司、国门华术标准化研究随限公司。智斌、吕天刚、专利。本文件的:业和信息化部提出。草人:瑞。S 标准化研究院归口。m鸿利智汇集团股份 份有限公司、厦门-X-刖三本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是半导体光电子器件系列标准的一个,半导体光电子器件已出版了以下部分:请注意本文件本文件由中隼本文件由本文件加I有限公司、生市产品质做1本宽、涂半导体光电子器
3、件半导体光电子器件半导体光电子器件半导体光电子器件本文件制定的目的在于规范灯丝灯用发光二极管的基本额定值、特性、检测方法等,为灯丝灯用发光二极管的测试、评价等提供依据。半导体光电子器件灯丝灯用发光二极管空白详细规范是半导体光电子器件系列标准中的一个。该系列主要规定了半导体光电子器件大功率、中功率、小功率发光二极管的特性、测试方法、质量保证规定等要求,该系列标准包括:半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范;半导体器件光电子器件分规范;功率发光二极管空白详细规范;中功率发光二极管空白详细规范;小功率发光二极管空白详细规范;灯丝灯用发光二极管空白详细规范。半导体光电子器件灯丝灯用发光二极管空白
4、详细规范1范围本文件规定了灯丝灯用发光二极管的基本额定值、特性、检测方法等,为灯丝灯用发光二极管的测试、评价等提供依据。本文件适用于灯丝灯用发生产、研制和检验。法(idt IEC 60068-试验第2部分:,法2008Gdt IEC 60068-部分:;/法试!方法i2008半2242定湿热试验 变湿热201920()8中的规范性引用而构成本文件必不小的引用文件,其法法、2016 Ee:电子产品环V MX02规范性引用文件下列文件 仅该日期对文件。GB/T 2-1)GB2-2)GBGB (12h+lGBGB/TGB/TGBGB/T 装件强度GBZT 4589.12 1991)GB/T 2482
5、4- 2009GB/T 370312018筠验第2部分:电工电子产品环境试验 第2部分试验方法电工电子产品环境试验 第2部分:试验方电工电子产品环境试验 第2部分:试工电子产品环境试验 第2部分:2普通用半导体照明术语中,注日期的引用文件, 的修改单)适用于本则:冲击 振动(正弦) 温度变化 锡焊改验U:引出端及整体安总规范(eqv IEC 60747 10:GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序SJ/T113942009半导体发光器件测试方法3术语和定义GB“370312018界定的术语定义适用于本文件。4要求4.1 总则器件外形结构应符合本规范附录B的规定。器件应符合GB/T45
6、89.1-2006和本文件的要求,本文件与GB4589.1-2006的要求不一致时,应以本文件为准。4.2 材料、结构与工艺4.2.1 材料器件符合GB4589.1-2006的规定,采用LED芯片封装成条状、用于灯丝灯的半导体发光二极管器件。其发光材料包括GaAlAS/AlGaInP/GaN基和荧光粉,其封装材料包括有机硅、陶瓷、金属及其他,其芯片包括单芯片和多芯片。4.2.2 外形尺寸器件外形有单面/双面/多面;直线形/曲线形等,典型外形图及尺寸代码见本规范附录B,4.2.3 2.3极性标志器件极性标志应满足附录B的要求。4.3 绝对最大额定值和特性4.3.1极限值(绝对最大额定值)除另有规
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