高纯镍靶材.docx
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1、ICS77.150.40CCSH62中华人民共和国国家标准GB/TXXXXXXXX高纯银靶材HighpuritynickeItarget(预审稿)-X发布-X实施中华人民共和国工业和信息化部发布,、/、一刖后本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第一部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的有些内容可能涉及到专利,本文件的发布机构不承担识别专利的责任本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。本文件起草单位:宁波江丰电子材料股份有限公司,有研亿金新材料有限公司,金川集团股份有限公司,上海同创普润新材料有限公司,南京达迈科技实业股份有限公司。本
2、文件主要起草人:姚力军,廖培君,周友平,王学泽,汤婷,杨慧珍,吴东青,干科军等。高纯镇靶材1范围本文件规定了高纯锲靶材的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于半导体行业用高纯银靶材。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1031产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值GB/T13298金属显微组织检验方法GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫
3、分析方法通则YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法YS/T1012-2014高纯银化学分析方法杂质元素含量的测定辉光放电质谱法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3. 1靶材target在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在衬底表面沉积。3.2靶坯targetblank阴极上用作溅射材料的部分。3.3背板backingpIate用来支撑或固定靶材的材料。靶坯与背板可以通过焊接(如钎焊、电子束焊、扩散焊等)、机械复合、粘接等方式连接。4分类4. 1靶材按照外形分为圆形和方形,或由需方提供图纸。4.2靶材按照纯度不同,分为
4、4N、4N5、5N三个牌号。4.3靶材按照结构形式分为复合体靶材和单体靶材,结构示意图如图1所示。背板上二Z=Zr(a)复合体靶材(b)单体靶材图1靶材结构示意图5技术要求5.1 化学成分5.1.1 银靶材产品的主成分含量要求应不小于99.99%;5.1.2 产品的杂质含量要求应符合表2的规定,气体杂质含量要求应符合表3规定。表2杂质含量牌号4N4N55N模靶材质量分数。%,不小于99.9999.99599.999杂质含量(质量分数104%),不大于Al2052As2051Au521Ag521Bi521Ca1051Cd521Co50203Cr50153Cu40202Fe502010Mg1011
5、Mn1011Na511K511Li511P511Pb511Sb311续表2杂质含量牌号4N4N55N镇靶材质量分数。%,不小于99.9999.99599.999杂质含量(质量分数104%),不大于Si1051Sn1051Ti20103V20101Zn1052杂质总含量(不包含c、H、0、N和S)%,不大于0.010.0050.001注:需方对元素有特殊要求的,由供需双方协商,并在订货单中注明。锲的质量分数为100%减去金属杂质实测总和的余量(不含c、H、0、N和S等气体)。表3气体杂质含量牌号4N4N55N气体杂质含量(质量分数104%),不大于C1005030N10105O503020H55
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