半导体封装材料行业发展概况.docx
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1、半导体封装材料行业发展概况半导体封装材料是半导体产业的基石,是推动封装技术持续创新的引擎,进而深刻地影响着半导体产业的整体发展。封装材料的具体分类情况如下所示:根据中国科学院上海微系统与信息技术研究所SIMIT战略研究室公布的我国集成电路材料专题系列报告,90%以上的集成电路均采用环氧塑封料作为包封材料,因此,环氧塑封料已成为半导体产业发展的关键支撑产业。封装材料产品品质主要由理化性能、工艺性能以及应用性决定,而下游客户则主要对环氧塑封料产品的工艺性能与应用性能进行考核验证。其中,产品配方直接决定了理化性能,进而影响到工艺性能与应用性能。因此,环氧塑封料厂商的研发重点主要系产品配方的完善、优化
2、与开发,且大量与配方相关的核心知识产权主要通过专有技术(Know-how)的形式予以保护。一、半导体封装材料深刻影响封装技术创新,需要根据封装形式的演进而进行定制化开发由于封装材料深刻地影响着半导体封装所实现的主要功能,并与封装厂商的生产效率及生产成本息息相关,因此,半导体封装与环氧塑封料呈现出互相依存、互相促进的特点。随着半导体芯片进一步朝向高集成度与多功能化的方向发展,环氧塑封料厂商需要针对性地开发新产品以匹配下游客户日益复杂的性能需求,因而应用于历代封装形式的各类产品的配方开发(主要涉及原材料选择与配比)、生产中的加料顺序、混炼温度、混炼时间、搅拌速度等工艺参数均存有所不同,即各类产品在
3、理化性能、工艺性能以及应用性能等方面均存在差异,故业界称为一代封装、一代材料”。历代封装技术对环氧塑封料的主要性能及产品配方要求如下表所示:封装技术发展阶段对应封装形式环氯型封料性能要求发行人对应产品第一阶段TO、DlP等重点考察环氧塑封料的型性能与电性能,要求在配方设计中关注固化时间,Tg、E、导热系数、离了含量、气孔率等因素基础类环氧型封料第二阶段SoT、SoP等重点考察环氧型封料的可重性、连续模型性等性能,要求在配方设计中关注冲丝率固化时间,流动性、离子合量,咳水率、粘接力、含曲强度、弯曲模量等因素高性能类坏侬M料茶三阶段Qn1、BGA等重点考师氧塑封料辎曲.可蜜性、气孔等性能,要求在配
4、方设计中关注流动性,枯度,套曲强度、弯曲横、Tg、F、应力、吸水率、粘接力等因素先进时装类环氧9时料第四、第五阶段SiP、FOVLP等对环氧型封科MS曲、可亲性、气孔提出了更高的要求,部分产品以颗粒状或液态形式呈现,要求在配方设计中关注独度、枯接力、吸水率、弯旃强度,膏曲m量、n、E、耳子含量、颗粒状材料的大小等因素先迸封装类外氯里拼4综上,环氧塑封料等封装材料在半导体封装中扮演着举足轻重的地位,塑封料厂商需根据下游客户定制化的需求针对性地开发与优化配方与生产工艺,从而灵活、有效地应对历代封装技术。因此具备前瞻性与完整性的产品布局、持续创新能力的环氧塑封料厂商将有望在未来的竞争中脱颖而出。二、
5、半导体封装材料需通过客户严格的考核验证后方能获得使用半导体封装材料产品需要通过下游客户的样品考核验证及批量验证后才能获得客户的使用,其中,样品考核情况是环氧塑封料产品性能与技术水平的重要体现,主要包括下游客户对塑封料产品的工艺性能(如固化时间、流动性、冲丝、连续成模性、气孔率等)与应用性能(如可靠性、热性能、电性能等)的考核验证。目前下游封装厂商主要参考JEDEC(固态技术协会)标准进行封装体的评估和测试,JEDEC标准对封装和测试服务制定了详细的考核项目和量化指标,包括潮敏等级试验(MSL)、高低温循环试验(TCT)、高压蒸煮试验(PCT)等。其中,MSL试验是针对环氧塑封料可靠性的主要考核
6、项目。环氧塑封料产品所需通过的主要考核项目及具体考核要求的情况如下表麻:考核项目考核条件密有标准对公司产品的要求潮软等级试蛤(ISL)一般考核要求为MSL3:125匕条件下做24小时,温度比、温度&九条件下吸星192小时;三次回发,峥值温度为260t:IPC/JEDECJ-STO-020要求半导体时装材料不会由于应力过高而出现与芯片、基马、导电胶或者据架分层或开袅、离子含量过高而使西芯片电性能失效等情况高低温循环试玲(TCT)在-65七(15分钟)至150t(15分钟)环境下,循环500次JESD22-A1O4要求半导体时装材料不会由于应力过高造成半导体元器件内鼾出现分层、开裂等现象5MJ朝靖
7、(HAST)在温度130七、星度85%条件下,晒500小时JESD22-A118要求半导体时装材料不会由于离子合量过高.电导率过高造成芯片表面与引线之间焊点的脱落而造成电性能失效高压茎然试蜡(PCT)温度121匕、温度IOol、2个标准大气压下试验%16WJESD22-A102要求环氟型狎不会由于高总下的拈接力过低造成半导体元器件内部出现分国修高温高湿试蛇(TET)在温度85T?、显度85下脸500JESD22-A1O1要求半导体封装材料不会由于离子含量过高、PH过低造成引线网蚀或者焊点脱落,引成元器件电性能失效高温贮存试蛤(KrST)在150V下试蛉500小时JESD22-A1O3要求半导体
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- 关 键 词:
- 半导体 封装 材料 行业 发展 概况