GZ-2022030集成电路开发及应用赛项赛项正式赛卷完整版包括附件-2022年全国职业院校技能大赛赛项正式赛卷.docx

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1、全国职业院校技能大赛GZ-2022030集成电路开发及应用赛项任务书第一部分集成电路设计与仿真使用集成电路版图设计软件，根据表1-1所示的集成电路真值表（输出值XgX7、YOY7和“”运算，现场随机抽取），使用GPDK090工艺PDK,设计集成电路原理图和版图，并进行功能仿真。设计要求如下：1 .MoS管仅可以选用nmos2vxPmoS2v两种。2 .MoS管宽长要求:nmos2v:宽1.12ms长0.28m；pmos2v：宽2.24pm、长0.28mo3 .芯片引脚：3个输入端A、B、C；3个输出端X、Y、Z；1个电源端VeC；1个接地端GNDo4 .功能：按照表1-1所示的集成电路真值表，

2、A、B、C输入不同的逻辑电平，X和Y输出对应逻辑电平。Z输出X和Y的某种运算结果，该运算为“与、或、与非、或非、同或、异或”之一。输出值XgX7、YoY7和“”运算，由比赛现场裁判长抽取的任务参数确定，并统一下发到各个工位。5 .仿真设置：VCC为+5V,A为IkHz,B为2kHz,C为4kHz1要求输出波形不少于2个完整周期且不超过3个完整周期。6 .通过ASSUra菜单下的“RunDRC”检查。7 .通过ASSUra菜单下的“RunLVS”验证。8 .所设计版图面积应尽量小。现场评判要求：1 .比赛中，应配置仿真参数并保存仿真对应的State,以便评判时现场运行仿真与展示。2 .评判时，选

3、手须按裁判指示进行操作，现场生成并展示对应结果。裁判仅对现场展示的结果进行评分，不对选手提前保存的结果截图进行评判。3 .评判时，须选手执行的操作主要有：打开对应原理图进行电路仿真操作并展示仿真结果；打开原理图对应的版图，并进行DRC检查和LVS验证展示验证结果；展示器件属性；展示配置参数；测量和计算版图尺寸（单位设置为m）04.评判时，不允许选手进行增加、删除、修改、连线等操作。出现此类情况者，判定为操作违规，本题（第一部分）计零分。表1“集成电路真值表输入输出ABCXYZ=XYOOOXoYo“口”为以下运算OO1XiYiO1OX2Y2”与AO11X3Y31OOX4Y41O1X5Y5或非11

4、OX6Y6或或同异111X7Y7注：表中逻辑电平为“正逻辑”，即低电平用“。”表示、高电平用“表示。补充：赛场抽取的XbX7为ooooo丫0丫7为OololloI“口”运算为与非全国职业院校技能大赛GZ-2022030集成电路开发及应用赛项任务书第二部分集成电路工艺仿真本部分为机考题。答题方式：(1)打开浏览器，登陆网址：http:/192.168.0.2:8080/k)gin或打开桌面快捷方式(2)按照“操作说明及注意事项”要求，完成答题。操作说明及注意事项一、访问考试网址1.打开Chrome浏览器，在地址栏中输入以下网址来访问考试网站：访问网址：http:/192.168.0.2:8080

5、/login2.切换到考务系统模块的考生角色下，使用下发的考生信息进行登录，登录界面如下图所 示：3.依次输入考生考号（用户名）、考生登录密码信息后点击进入考试。目名称:答M况:二、考生注意事项1 .虚拟仿真交互作答时每一道题目都是相互独立的，每完成一个虚拟仿真的答题后，均需要点击下方的“提交此题”按钮，提交成功后会在下面的答题情况框中出现绿色勾，并自动跳转到下一题，如下图所示：设置.请点击“开始”按钮，进入考核.-三J2 .答题完成并确认无误后，可点击“提交试卷”按钮进行交卷。注意：（1）提交试卷后无法再进行修改；（2）考试时间结束，系统将自动提交试卷。62022年全国职业院校技能大赛（高职

6、组）集成电路开发及应用费项集成电路工艺仿真（共200.0分）考试总时长：360单选题1、（1.0分）下面4张图中，图4的芯片的封装形式是。A图1图2图3图4AxTOBxSOPCsQFPD、QFN2、（1.0分）用热探针法进行硅锭导电类型的测量时，可以利用（）确定被测硅锭是N型半导体还是P型半导体,A、光电检流计的数值B、光电检流计的偏转方向C、电流表的读数D、电压表的读数3、（L0分）划片前的晶圆贴膜过程中，需要外加一个（），它起到支撑晶圆的作用。A、晶圆基底圆片B、晶圆贴片环C、蓝膜支撑架D、固定挂钩4、（1.0分）集成电路制造工艺中需要进行晶圆清洗，其中1号清洗液的成分的是（）oA、氢氧化

7、镂、过氧化氢、纯水B、盐酸、过氧化氢、纯水C、硫酸、过氧化氢D、氢氟酸、纯水5、（1.0分）如下4幅图所示，其中不属于半导体引线框架的是（）。图4A、图1B、图2C、图3D、图46、（1.0分）一般情况下，一个料管中可以装（）颗S0P8封装类型的芯片。A、10Bx25C、50D、1007、（1.0分）在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是（）。A、外延B、热氧化C、PVDDsCVD8、（1.0分）千级无尘车间对无尘要求较高，且温度和湿度需严格控制，其温度、湿度要求一般为（）。A、温度183、湿度为4510%Bs温度2

8、03C、湿度为5010%C、温度223、湿度为5510%D、温度253、湿度为5510%9、（1.0分）模块电路外观检查时如果发现有疑似管脚不良的电路，要用（）进行验证。A、通止规人游标卡尺C、基准块D、直尺10、（1.0分）探针卡常见故障有以下几种：探针氧化、针尖高低不平、（）、探针卡没焊好、针尖有异物等。A、针尖无法自动下压入针尖磨平C、针尖压痕太长D、探针卡无探针11、（LO分）芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边

9、12、（1.0分）探针通常由（）制成。A、锲B、银C、铁D、鸨13、（1.0分）如以下七幅图片所示为键合步骤示意图,其正确的排序为（）。2jZA、图3图6图If图2-图7-*图4-*图5B、图5-图4图6f图1一图2图7图3Cx图6-图3图5-图Ii图2-图7-图4D、图6-*图3图If图5-*图4-图2-*图7A、选择较高的黏度和较低的转速B、选择较低的黏度和较低的转速C、选择较高的黏度和较高的转速D、选择较低的黏度和较高的转速15、（1.0分）下图中，不属于晶须的是（）。图1图2图3图4A、图1B、图2C、图3D、图416、（1.0分）湿氧氧化工艺操作过程中，设置H2和02的流量比例略低于

10、2:1的原因是（）。A、化学反应式中H2和02的比例本身就略低于2:1B、确保在氢氧反应过程中氢气能全部反应完毕，避免氢气积累发生爆炸C、化学反应中需要02做催化剂D、后续化学反应需用到剩余的0217、（1.0分）编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式（）份。A、IBx2C、3D、418、（1.0分）（）不属于掩膜版自身缺陷。A、毛刺B、针孔C、黑区突出D、边缘不均匀19、（1.0分）用比色法进行氯化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的20、（1.0分）以下对光刻胶旋转涂胶过程的描述不正确的是（）。A、静态滴胶是指在载片台不旋转时进

11、行滴胶，再旋转使光刻胶均匀铺开的过程B、黏度越小的光刻胶就可以得到较薄的胶膜厚度C、旋转涂胶时若排气过强将导致颗粒淀积在硅片上D、最终涂抹出的胶膜厚度不由滴胶的量决定21、（1.0分）湿度卡的作用是（）。A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况22、（1.0分）集成电路制造工艺中需要进行晶圆清洗，其中3号清洗液的成分的是（）。A、氢氧化钱、过氧化氢、纯水B、盐酸、过氧化氢、纯水C、硫酸、过氧化氢D、氢氟酸、纯水A、刻蚀速率B、刻蚀因子C、选择比D、均匀性24、（1.0分）通常情况下，S0P16的芯片用编带包装时，一盘编带可以放（）颗芯片。A、2000B

12、、2500C、3000Dx400025、（1.0分）当操作者进入晶圆制造、晶圆测试工艺的无尘车间之前，必须进行（）操作，清除身体表面附着的尘埃颗粒。A、风淋B、更衣C、红外线照射D、沐浴26、（1.0分）楔形键合的键合线直径不要超过焊盘尺寸的（），键合线直径越大,其熔断电流也越大，即可传导的电流越大。A、l5Bx1/4C、3D、1/227、（1.0分）溶剂去飞边毛刺和水去飞边毛刺是利用（）来冲洗模块。A、高压液体B、高压空气C、高压重力D、高压电压28、（1.0分）塑封机模具温度在温度设置盘上设置，一般设置为（）左右。A、1005CBx17550CC.2705CDx300529、（1.0分）（

13、）不属于用于掩膜版制备的玻璃衬底的缺陷或缺点。A、不耐腐蚀B、衬底较薄C、表面有划痕D、与遮光膜间的粘附性差30、（1.0分）以下与光刻胶有关的表述错误的是（）。A、有图形的光刻胶层在刻蚀时可保护硅片上的特殊区域不被腐蚀B、负性光刻胶被曝光后不可溶解C、正性光刻胶被曝光后不可溶解1）、被曝光的正性光刻胶显影时会被溶解31、（1.0分）在介质膜干法刻蚀中，往往会加入（）从而降低SiO2Si的刻蚀选择比。A、氢气B、氧气C、氮气D、氢氟酸32、（1.0分）以下与离子注入有关的参数描述错误的是（）。A、在同样的硅片面积下，注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大小，束流越大、注入时间越长，达到的剂量

14、越大B、离子注入的实际路程是曲线C、注入能量是衡量注入的杂质浓度的一个参数D、注入角度是决定掺杂离子表面分布、掺杂均匀性的关键参数33、（1.0分）典型的封装工艺流程是（）。A、晶圆减薄-晶圆划片-晶圆粘接-引线键合-芯片塑封-激光打标-电镀-切筋成型B、晶圆减薄晶圆划片-芯片粘接引线键合-芯片塑封激光打标-电镀切筋成型C、晶圆减薄-芯片划片-晶圆粘接-引线键合-塑封-打标-电镀-切筋成型D、晶圆减薄-划片-芯片粘接-晶圆键合-塑封-引脚电镀-激光打标-切筋成型34、（1.0分）导电胶粘贴法的缺点是（）不好，因此不适用于高可靠度的封装。A、隔湿性B、隔热性C、密封性D、热稳定性35、（L0分）在离子注入的过程中，需要将所需的杂质离子电离成正离子，视频中的的名称是什么？A、离子源B、磁分析器C、靶室D、加速管36、（1.0分）视频中是某台正在作业的设备，当该区域的液体供应不足时，可能会造成下列选项中的哪种现象？（）A、切割崩边氏晶粒脱离蓝膜C、划片位置偏移D、蓝膜开裂37、（1.0分）视频展示的装片机外观中，进行芯片粘接动作的位置是（）标注的区域。A、B、C、D、38、（1.0分）视频展示的是封装工艺中引线键合的操作过程，其中现象表示的环节是（）。A、烧球B、植球C、走线D、压焊断线39、（1.0分）在离子注入的过程中，经过时，可以将所需要的杂质离子从混合