第5章存储器扩展技术.ppt
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1、 根据根据存储介质不同存储介质不同,可分为,可分为:半导体存储器,磁心存储器,电耦合存储器。半导体存储器,磁心存储器,电耦合存储器。目前,计算机内部均采用半导体存储器,只讨论半目前,计算机内部均采用半导体存储器,只讨论半导体存储器,导体存储器,按照存储器的按照存储器的存取功能不同存取功能不同,半导体存储器可分,半导体存储器可分为为 1)1)只读存储器(只读存储器(Read Only Memory,简称,简称ROMROM)2)2)随机存储器(随机存储器(Random Access Memory,简称,简称 RAMRAM)3)3)串行存储器。串行存储器。功能:用于存放程序,常数和表格常数等。功能:
2、用于存放程序,常数和表格常数等。特点:把信息写入存储器后,能长期保存,不特点:把信息写入存储器后,能长期保存,不会因电源断电而丢失信息,在计算机运行过程中,会因电源断电而丢失信息,在计算机运行过程中,只能读出信息,不能再写入信息。一旦写入信息,只能读出信息,不能再写入信息。一旦写入信息,不能随意更改。不能随意更改。根据编程方式的不同,根据编程方式的不同,ROMROM可分为以下可分为以下5 5种:种:1)1)掩模工艺掩模工艺ROMROM 特点:编程是由制造厂完成,即在生产过特点:编程是由制造厂完成,即在生产过程中进行编程。用户不能改变其内容。结构简单,程中进行编程。用户不能改变其内容。结构简单,
3、集成度高,适于大批量生产。集成度高,适于大批量生产。2)可一次性编程可一次性编程ROM(PROM)特点:程序是由用户写入,只能写一次,但特点:程序是由用户写入,只能写一次,但不能再进行修改。不能再进行修改。3)紫外线擦除可改写紫外线擦除可改写ROM(EPPROM)特点:用电信号编程而用紫外线擦除。程序特点:用电信号编程而用紫外线擦除。程序由用户写入,运行多次擦除和重新写入。由用户写入,运行多次擦除和重新写入。典型产品型号有:典型产品型号有:Intel公司公司27系列产品:系列产品:2716(2KB8),),2732(4KB8),),2764(8KB8),),27128(16KB8),),272
4、56(16KB8)等。)等。4)电擦除可改写电擦除可改写ROM(EEPROM或或E2PROM)特点:用电信号编程也用电信号擦除。可以通过特点:用电信号编程也用电信号擦除。可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入,读写操作读写操作进行逐个存储单元读出和写入,读写操作与与RAM存储器差不多,只是写入速度慢一些。但断存储器差不多,只是写入速度慢一些。但断电后能保存信息。电后能保存信息。典型产品型号有:典型产品型号有:28C16、28C17、2817等。等。5)快擦写快擦写ROM(闪速存储器即(闪速存储器即Flash ROM)特点:是在特点:是在EPPROM和和E2PROM基础上发展的一基础上发展的
5、一种种ROM,读写速度很快。存取时间达,读写速度很快。存取时间达70ns(纳秒),(纳秒),存储容量达存储容量达16128MB。改写次数可达。改写次数可达1万万100万次。万次。可在线写入,自动覆盖内容,可按页连续字节写入。可在线写入,自动覆盖内容,可按页连续字节写入。典型产品型号有:典型产品型号有:28F256、28F516、AT89等。等。功能:功能:用于存放可随时修改的数据,常用于单片机控用于存放可随时修改的数据,常用于单片机控制领域。但是掉电后信息立刻消失。这时在单片机应制领域。但是掉电后信息立刻消失。这时在单片机应用系统要有掉电保护电路路,以便及时提供备用电源,用系统要有掉电保护电路
6、路,以便及时提供备用电源,防止因掉电信息丢失。防止因掉电信息丢失。按按制造工艺制造工艺可分为:可分为:1 1)双极性)双极性RAMRAM 特点:存取时间短,一般为几到十几纳秒。特点:存取时间短,一般为几到十几纳秒。与与MOSMOS型相比,集成度较低,功耗大,价格较高。型相比,集成度较低,功耗大,价格较高。应用场合:主要用于存取时间短微型计算机中。应用场合:主要用于存取时间短微型计算机中。2 2)MOSMOS(金属氧化物)(金属氧化物)RAMRAM 特点:与双极性特点:与双极性RAMRAM相反。在单片机系统中一相反。在单片机系统中一般使用此种类型。般使用此种类型。按按工作方式不同工作方式不同,可
7、分为:,可分为:静态读写存储器静态读写存储器SRAM(Static Random Access Memory)特点:特点:集成度比较高,功耗比双极性集成度比较高,功耗比双极性RAMRAM低,价格低,价格也比较便宜。也比较便宜。动态读写存储器动态读写存储器DRAMDRAM(Dynamic Random Dynamic Random Access MemoryAccess Memory)特点:特点:集成度很高,功耗、价格比集成度很高,功耗、价格比SRAMSRAM低。低。是一种是一种CMOSCMOS工艺制成的电擦除可编程工艺制成的电擦除可编程ROMROM,最,最近逐渐发展的。近逐渐发展的。典型产品:
8、典型产品:二线制二线制24CXX24CXX系列产品,三线制系列产品,三线制93CXX93CXX系列产品。系列产品。1.1.存储容量存储容量:通常用某一芯片有多少个存储单元、:通常用某一芯片有多少个存储单元、每个存储单元存储若干未来表示。每个存储单元存储若干未来表示。例如:静态例如:静态RAM6264RAM6264的容量为的容量为8K8K8 8,表示有,表示有8K8K个单个单元(元(1K=10241K=1024),每个单元存储),每个单元存储8 8位(一个字节)数据。位(一个字节)数据。2.2.存取时间存取时间 即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。
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- 关 键 词:
- 存储器 扩展 技术