光芯片行业投资潜力及发展前景分析.docx
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1、光芯片行业投资潜力及发展前景分析一、企业营销对策用上述矩阵法分析、评价营销环境,可能出现4种不同的结果。在环境分析与评价的基础上,企业对威胁与机会水平不等的各种营销业务,应分别采取不同的对策。对理想业务,应看到机会难得,甚至转瞬即逝,必须抓住机遇,迅速行动;否则,丧失战机,将后悔莫及。对风险业务,面对其高利润与高风险,既不宜盲目冒进,也不应迟疑不决,坐失良机,应全面分析自身的优势与劣势,扬长避短,创造条件,争取突破性的发展。对成熟业务,机会与威胁处于较低水平,可作为企业的常规业务,用以维持企业的正常运转,并为开展理想业务和风险业务准备必要的条件。对困难业务,要么是努力改变环境,走出困境或减轻威
2、胁,要么是立即转移,摆脱无法扭转的困境。二、光芯片行业未来发展趋势(一)光传感应用领域的拓展,为光芯片带来更多的市场需求光芯片在消费电子市场的应用领域不断拓展。目前,智能终端方面,已使用基于3DVCSEL激光器芯片的方案,实现3D信息传感,如人脸识别。根据Yole的研究报告,医疗市场方面,智能穿戴设备正在开发基于激光器芯片及硅光技术方案,实现健康医疗的实时监测。同时,随着传统乘用车的电动化、智能化发展,高级别的辅助驾驶技术逐步普及,核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于不申化钱(GaAs)和磷化锢(InP)的光芯片作为激光雷达的核心部件,其未来的市场需求将会不断增加。(二)下游模块厂商布
3、局硅光方案,大功率、小发散角、宽工作温度DFB激光器芯片将被广泛应用随着电信骨干网络和数据中心流量快速增长,更高速率光模块的市场需求不断凸显。传统技术主要通过多通道方案实现IOOG以上光模块速度的提升,然而随着数据中心、核心骨干网等场景进入到40OG及更高速率时代,单通道所需的激光器芯片速率要求将随之提高。以400GQSFP-DDDR4硅光模块为例,需要单通道激光器芯片速率达到IOOG。在此背景下,利用CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势。硅光方案中,激光器芯片仅作为外置光源,硅基芯片承担速率调制功能,因此需将激光器芯片发射的光源耦合至硅基材料中。凭借高度集成的制程优势
4、,硅基材料能够整合调制器和无源光路,从而实现调制功能与光路传导功能的集成。例如40OG光模块中,硅光技术利用70mW大功率激光器芯片,将其发射的大功率光源分出4路光路,每一光路以硅基调制器与无源光路波导实现IOOG的调制速率,即可实现40OG传输速率。硅光方案使用的大功率激光器芯片,要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标,对激光器芯片要求更高。(三)磷化锢(InP)集成光芯片方案是满足下一代高性能网络需求的重要发展方向为满足电信中长距离传输市场对光器件高速率、高性能的需求,现阶段广泛应用基于磷化钿(InP)集成技术的EML激光器芯片。随着光纤接入PON市场逐步升级为25G/50G
5、-P0N方案,基于激光器芯片、半导体光放大器(SOA)的磷化锢集成方案,如DFB+SOA和EML+SOA,将取代现有的分立DFB激光器芯片方案,提供更高的传输速率和更大的输出功率。此外,下一代数据中心应用400G/800G传输速率方案,传统DFB激光器芯片短期内无法同时满足高带宽性能、高良率的要求,需考虑采用EML激光器芯片以实现单波长IoOG的高速传输特性。同时,随着应用于数据中心间互联的波分相干技术普及,基于磷化锢(InP)集成技术的光芯片由于具备紧凑小型化、高密集成等特点,可应用于双密度四通道小型可插拔封装(QSFP-DD)等更小型端口光模块,其应用规模将进一步的提升。(四)中美贸易摩擦
6、加快进口替代进程,给我国光芯片企业带来增长机遇近年来中美间频繁产生贸易摩擦,美国对诸多商品征收关税,并加大对部分中国企业的限制。由于高端光芯片技术门槛高,我国核心光芯片的国产化率较低,主要依靠进口。根据中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年),IOG速率以下激光器芯片国产化率接近80%,IOG速率激光器芯片国产化率接近50%,但25G及以上高速率激光器芯片国产化率不高,国内企业主要依赖于美日领先企业进口。在中美贸易关系存在较大不确定的背景下,国内企业开始测试并验证国内的光芯片产品,寻求,将促进光芯片行业的自主化进程。三、光芯片行业面临的机遇光芯片是光通信行业的核心元件,随着传统
7、通信技术的转型升级、运营商推动5G信号的覆盖,光芯片的需求量将持续增长。同时,消费者对更稳定、更快速的信号传输需求扩大,光芯片应用领域将从通信市场拓展至医疗、消费电子和车载激光雷达等更广阔的应用领域。近年来国际贸易形势不稳定,中美贸易摩擦不断,美国不断对我国的技术发展施加限制。针对我国光芯片领域与国外的差距,我国确立光电子芯片技术在宽带网络建设、国家信息安全建设中的战略性地位,并出台一系列支持政策推动核心光芯片研发与应用突破,加快推进光芯片国产自主可控替代计划。四、光芯片的发展概况光通信指的是以光纤为载体传输光信号的大容量数据传输方式,通过光芯片和传输介质实现对光的控制。20世纪60年代,激光
8、器芯片技术和低损耗光纤技术出现,激光器芯片材料和结构不断发展,逐步实现对激光运行波长、色散问题、光谱展宽等的控制。经过结构设计、组件集成和生产工艺的改进,目前EML激光器芯片大规模商用的最高速率已达到IOoG,DFB和VCSEL激光器芯片大规模商用的最高速率已达到50G。在不断满足高带宽、高速率要求的同时,光芯片的应用逐渐从光通信拓展至包括医疗、消费电子和车载激光雷达等更广阔的应用领域。五、光芯片原材料分类光芯片企业通常采用三五族化合物磷化锢(InP)和不申化钱(GaAs)作为芯片的衬底材料,相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点,符合高频通信的特点,因而在光通信芯片领域得
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