（典型）半导体原理图符号梳理详解.docx

《（典型）半导体原理图符号梳理详解.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《（典型）半导体原理图符号梳理详解.docx（5页珍藏版）》请在优知文库上搜索。

1、（典型）半导体原理图符号梳理详解二极管是两端器件，由两种半导体材料熔合在一起形成pn结、其中“n”型材料为阴极，“p”型材料为阳极。通常，二极管的阴极引线通过彩色带进行识别。二极管的基本原理图符号看起来像一个箭头,指向从阳极（N端子到掰旗K）端子的常规电流方向。二极管的原理图符号还表明，如果正向偏置，电流将按箭头方向流动。然而，如果电压的极性反转，则没有电流流动。齐纳二极管和肖特基二极管的示意性半导体符号与基本Pn结二极管的半导体符号类似，只是表示符号的阴极（K）端子的线在两端弯曲。发光二极管（LED）的原理图符号显示了由正向偏置时从其辐射的较小箭头表示的光能。原理图符号符号识别符号说明半导体

2、二极管半导体Pn结二极管，正向偏置时使电流通过，反向偏置时阻止电流流动。常用于小信号、整流或高电流应用J的齐纳二极管齐纳二极管在其反向电压击穿区域用于电压限制、瞬态抑制和调节应用。提供一系列反向击穿电压值肖特基二极管肖特基二极管由n型半导体和金属电极结组成，与Pn结二极管相比，具有非常低的正向压降和功耗以及更快的开关速度旭发光二极管（LED）一种半导体二极管，根据正向偏置时使用的材料和掺杂，从其pn结发射一系列可见和不可见的彩色光光电二极管一种半导体光电传感器，当暴露于入射光能时，电流可以反向流过自身双极结型晶体管的半导体原理图符号双极结型晶体管或BJT的原理图符号表示两种主要类型：NPN（负

3、-正-负）晶体管和PNP（正-负-正）晶体管。周围有圆圈的双极晶体管符号表示离散器件，而没有圆圈的双极晶体管符号表示其在内部电路中的使用。例如，逻辑门和数字ICo双极型晶体管是三端器件,双极型晶体管的原理图符号中标有字母C、“B和E分别对应于集电极、基板和统极端子。传统电流通过双极晶体管从发射极端子流向集电极端子，而基极端子控制电流量。通常，这些标识字母不会在电路图中使用，但为了清楚起见而包含在此处。其他类型的双极晶体管电路符号包括达林顿晶体管的符号，其中两个双极晶体管连接在一起形成单个分立器件，以及使用光能而不是基极端子进行操作的光电晶体管。原理图符号符号识别符号说明NPN双极晶体管其特征是

4、两个n型发射极和集电极区域之间有一个轻掺杂的P型基极区域，箭头指示传统电流流出的方向PNP双极晶体管其特征是在两个p型发射极和集电极区域之间有一个轻掺杂的n型基极区域.箭头表示传统电流的方向达林顿对晶体管两个双极晶体管np或pnp连接在串联公共集电极配置中，以增加总体电流增益。提供PNP和Sziklai对配置光电晶体管NPN光电晶体管密封在带有玻璃透镜或窗口的保护壳中，用于检测外部可见光和近红外光源。某些型号具有基极（B）引线，可用于实现偏置和灵敏度控制场效应晶体管的原理图符号场效应晶体管（FET）是3端器件，有多种不同类型，每种类型都有自己的半导体符号来描述其操作。用于表示场效应晶体管的原理

5、图符号中标有字母“D”、G”和“S”，分别对应于漏夜、物板和翘端子。场效应晶体管的两种主要类型是：结型FET或JFET,以及绝缘栅FET或IGFETo结型FET有一个符号，该符号使用箭头来显示流经其二极管结点的传统电流方向。绝缘栅FET由于其金属、氧化物和硅结构形式而通常被称为MOSFET,其原理图符号显示栅极与漏源通道绝缘。JFET和IGFET(MC)SFET)均提供N沟道或P沟道类型。原理图符号符号识别符号说明唱N-JFET晶体管N沟道结型场效应晶体管，在源极(三)和漏极(D)端子之间具有n型半导体沟道，栅极(G)箭头向内指向以指不传统电流的方向唱:P-JFET晶体管P沟道结型场效应晶体管

6、，在源极(三)和漏极(D)端子之间具有P型半导体沟道，栅极(G)箭头向外指向以指示传统电流的方向N沟道D-MOSFET晶体管耗尽型N沟道金属氧化物半导体FET(M0SFET)具有与主导电沟道绝缘的栅极端子，当e二0伏时，栅极端子常开并导通P沟道D-MOSFET晶体管耗尽型P沟道金属氧化物半导体FET(pMOSFET)具有与主导电沟道绝缘的栅极端子，当g二0伏时，栅极端子常开并导通N沟道E-MoSFET晶体管增强型N沟道金属氧化物半导体FET(MOSFE具有与主沟道绝缘的栅极端子，并且在VG=O伏时处于常辘(您和闭合状态。道P沟道E-MOSFET晶体管增强型P沟道金属氧化物半导体FET(pMOS

7、FET)具有与主沟道绝缘的栅极端子，并且在e=0伏时处于得断状态和闭合状态IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管(IGBT)是BJT和IGFET的结合体，具有高输入MOS特性、大双极输出载流能力和低饱和电压功率器件的半导体原理图符号功率半导体器件是一系列在电路中用于转换、控制或开关电力的电子器件。这些半导体器件控制的电功率通常比上面的双极晶体管或场效应晶体管控制的电功率大得多C扇南管和欢向移起等电力电子半导体器件是电压驱动元件，用于开关和控制交流电源,用于受控整流器、电源或交流电机驱动控制器。电力电子器件以及上述组件正在能源、电力、工业和运输应用中找到新的应用，例如可再生能源技术、电池充电系统、储能、

8、太阳能逆变器、电动汽车、电源转换器、HVAC等。电力电子电路和应用与数字或小型电路电子系统在效率、尺寸和功率处理能力方面有所不同，其中可控硅整流器、门极关断整流器、双向可控硅和双向可控硅等元件是关键元件及其原理图符号。原理图符号符号识别符号说明*可控硅可控硅整流器(SCR)或晶闸管是一种3端子、四层PNPN半导体单向器件，其主端子标记为阳极（八）,阴极(K)和栅极(G)o一旦触发接通，只要有电流流过，它就会保持导通状态，并且可以在更高的电压和电流下工作双向晶闸管TRIAC得名于TriodeforAlternatingCurrent,是一种三端双向器件，可以双向传导电流。其主端子标记为MT2、MTl和Gate(G)1可在正弦波形的任一方向上触发导通迪亚克DIAC得名于DiodeforAlternatingCurrent,是一种类似于PNP晶体管的2端双向半导体器件，没有两个背靠背二极管的基极端子特性。与双向可控硅一起使用，在交流相位控制、调光、速度控制和功率控制应用中双向传导电流目单结晶体管单结晶体管(UJT)是一种半导体3端子、单pn结开关器件，其主端子标记为基极I(B1)、基极2(B2)和发射极(E)o可编程UJT使用外部电阻器来设置其开关参数，在张弛振荡器中很常见