蕙兰设施栽培技术规程.docx
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1、ICS点击此处添加中国标准文献分类号DB43湖南省地方标准DB43/TX2023蕙兰设施栽培技术规程TechnicalregulationforprotectedcultivationofCymbidiumfaberiRolfe点击此处添加与国际标准一致性程度的标识(征求意见稿) - XX实施(本稿完成日期:2023年6月12日)2023一一XX发布湖南省市场监督管理局目次前言错误!未定义书签。1范围错误!未定义书签。2规范性引用文件错误!未定义书签。3术语和定义错误!未定义书签。4栽培设施25繁殖技术26栽培管理错误!未定义书签。7病虫害防治68档案管理6附录A(资料性)蕙兰主要病虫害及防治
2、方法8本文件按照GB/T1.12020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本标准的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由湖南省林业局提出。本文件由湖南省林业标准化技术委员会归口。本文件负责起草单位:湖南省园艺研究所。本文件起草人:张力、李卫东、黄国林、唐桂梅、符红艳、肖晓玲、刘洋、周宇霞、杨吉龙、彭颖姝。蕙兰设施栽培技术规程1范围本文件规定了蕙兰(CymbidilmifaberiRolfe)栽培设施、繁殖技术、栽培管理、病虫害防治等技术要求。本文件适用于湖南的蕙兰设施栽培。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本
3、文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T8321农药合理使用准则NY/T1276农药安全使用规范总则3术语和定义3.1蕙兰CymbidiiunfaberiRolfe蕙兰又称九子兰、夏兰、一茎九花,假鳞茎小,根系粗而短,假鳞茎不明显,叶通常5枚9枚,长25cm125c,宽0.6cmL4cm,直立性强,基部通常呈V形的对褶,边缘具粗锯齿,花莲直立,高30cm80cm,花3朵12朵,花期3月5月。3.2假鳞茎pseudobulb兰科植物的变态茎,通常卵球形至椭圆形,肉质,绿色或其他色泽,是贮存
4、养分和水分的地方。3.3花筵scape花挂又名“花季”、“花箭”等,由兰花花芽发育而成的、长有花朵的地上茎。3.4簇兰Clusterorchid聚集成一簇的兰花。3.5兰株paint具1个假鳞茎及3片叶以上的带根兰花植株。兰丛clump2株以上(含2株)自然连体成丛状的兰花植株。4栽培设施1.1 温室类型全光照温室。4. 2系统配置具有加温、降温、遮阴、喷灌系统、底部镂空式栽培架,高度0.6m0.8m.5繁殖技术4.1 分株繁殖4.1.1 分株时间从簇数上,一般长到4株连体的簇兰,均可分株,但最佳的时节还是秋分的前后10天。5. 1.2分株兰苗选择选择生长良好,无病虫害的2年3年的壮苗为宜。5
5、.1 3分株方法5.1.3.1分株苗的准备分株时要求基质较干,分株前适当控水,使本来脆而易断的肉质根变得绵软,以防止分株和盆栽时伤根太多。5.1.3.2工具的准备将分株用的小刀、剪刀在酒精灯上烤20S30S进行消毒,也可用酒精、高钵酸钾、1Inol/L氢氧化钠(钾)、福尔马林等消毒剂进行消毒。5.1.3.3基质的准备基质宜选用腐殖土、腐叶土、泥炭土、椰糠、珍珠岩、松树皮、水苔、蛭石等配制;或选用兰花专用栽培基质。PH值5.56.5为宜。使用前需日晒或用药物灭菌。5.1.3.4分株步骤a)脱盆。倾斜兰盆,一只手五指托住盆面基质,另一只手将花盆倾斜并轻轻叩击花盆的四周,直至花盆与基质脱离再抓住花盆
6、底孔,轻轻提起,使兰株和基质从花盆脱出。b)修剪。平放母株,轻轻拍打剔除根间基质,剪去空、腐、断根,枯叶,假鳞茎上的腐败苞叶和干枯的假鳞茎。注意保护根和芽。C)分割。母株假鳞茎间较宽的连生缝隙处分割,新兰丛以保留有直接连生看的新(一年生)、老(一年生以上)植株为宜。d)消毒。剪口处涂以炭末或硫磺粉或百菌清等,或将新兰丛用杀虫灭菌剂浸泡处理。e)晾干。处理后的新兰丛置阴凉通风处敞晾,以根部表面水分晾干为宜。5.2种子无菌播种5.2.1种子收集选用性状典型稳定,生长健壮无病虫害的兰株繁殖种子。采集8成9成熟、尚未开裂的菊果中的种子进行繁殖。5.2.2培养基配制选用MS、B5、N6、W、Z等为基本培
7、养基,可添加6-BA1mg/L、NAA1mg/L等,以提高种子发芽率。PH值一般为5.55.8。5.2.3种子消毒与处理将采收的未开裂前果置于流水下冲洗干净,在超净工作台上先用75%的酒精浸泡1min,无菌水冲洗2次,再用5%次氨酸溶液浸泡10min-15min,无菌水冲洗3次。5.2.4接种将消毒后的粥果置于灭菌滤纸上吸干水分,用解剖刀纵切开,用镣子夹取着生于侧膜胎座上的种子,使种子均匀分布在培养基上。5.2.5培养播种后置于培养室中暗培养,培养温度为26C,暗培养3个月。后转移到光下培养,光强2000Ix,光照时间14hd,5.2.6炼苗移栽待种子在培养器皿中萌发长成高5cmIOem、具2
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