全聚焦相控阵技术4-场测量相关理论知识与声场特性研.docx
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1、概述以往各种超声方法应用的技术路线都是基A扫信号的,人们习惯通过A扫认知检测过程中的各种情况和处理相关问题,包括:描述iS状态.例如确定工件中超声传输路径和相应的到达时间,辨识各个信号:进行系统的各种设置,包括增益设置、扫查范围设21.声程增益校准、角度增益校准等:获取缺陷的侑息,即测量缺陷的位置、波幅、尺寸,并判断其性质;制订工艺和标准,即提出检测的各项参数,并规定其数值。但在全聚焦相控阵技术应用时遇到了问题:仪涔系统(使用的仪微是国产全聚焦相控阵3D实时成像系统,配用的探头是88面阵探头,单个阵元边长为3mm.文中引用的数据和图像如果没有特别说明,均是来自该仪解系统)没有A扫显示。没有A扫
2、显示的原因是:全聚集仪器系统探头接收到的A扫信号是海量的,一个64阵元探头在一个固定位理接收的A扫数量达4096条,其中任何一条A扫都无法表征检测的整体情况,所以单个A扫显示是没有意义的。针对此情况,在研究全聚集相控阵的声场特性和信号特性后,认为可以用新的概念和技术路线一一建立在“场”概念基础上的场测珏”和场校准技术路线,解决没有A扫信号显示带来的一系列问题,建立起新的焊缝检测工艺规则。理论知识常规超声场声压分布1图1是描述常规超声场的几幅图(图中P为声压,Po为波源的起始声压:PN为理想球面波声压:N为近场长度)。(八)连堆置拜场的小乘输城上的六厘攵化图1常规超声场的描述图全聚焦相控阵基本原
3、理全聚焦相控阵包括两个过程:全矩阵信号采集(FMC)过程和全聚保成像(TFM)过程。关于声场的几个定义3声场的定义:有限空间内再能址的分布。全聚焦声场的定义:全聚焦超声系统通过FMC-TFM过程施加丁和探测到某一体积(目标区)的超声能量分布。目标区的定义:为研究FMC-TFM声场和进行全聚焦相控阵检测而人为设置的体积.暂稳态声场和稳态声场:探头不动时目标区声场称为稳态声场:探头缓慢移动时称智稳态声场,智槎态声场的数据采集过程中声场能量有微小变化,这个变化可以忽略。关于超声波束的正确理解格规超声检测中,关于超声波束,在很多论文和教科书中都采用如图2(八)所示的阿法,图中波束构成元素为声束轴线、边
4、界角(扩散角)、边界级.这样的画法很简明,但是容易引起误解,比如存在以卜.误解:波束有边界;(2)边界线以外没有超声能量:在波束边界内的缺陷才能被发现。实际上所谓波束边界是不存在的,如果一定要用线条来描述波束形状,需引入等声压概念,用等声压线或等声压面表示,如图2(b)所示,图中给出r-6.-12.-20dB等3条等声压面。(八)波束边界我的一般画法(C)用灰度描述波柬的法图2超声波束边界线示意应该按照图2(C)所示来正确理解超声波束:图中灰度大小代表能培(声压)而低:灰度在图中的工件内处处存在,表明能量遍布于工件内:能量集中可能形成束,但不存在可见的波束边界。理论上的等声压线或等声压面概念可
5、以成立,但是实际上它们是看不见摸不着的。文章下面的讨论凡涉及波束边界的地方都采用等声压线/面来描述:关于场测出概念则需通过灰度/色度图去理解,全聚焦相控阵声场特性研究从4个方面研究全聚焦相控阵声场特性:小晶片多次发射的影响,大窗口长时接收的影响,目标区细分和聚焦的影响,信号段加平均处理的影响。全聚焦相拄阵独特发射方式的影响7探头阵元的单个晶片尺寸很小(边长3mm),一个信号周期内,所有晶片激发一次,要激发很多次(64次),这是全聚焦相控阵超声发射的特点,这会给超声场带来影响,有关讨论如bO1.小晶片发射的超声波束边界角比较边长为24mm的方晶片(常规脉冲反射法超声)与边长为3mm的方晶片(全聚
6、焦相控阵探头阵元)的波束边界角,进而讨论其对声场的影晌。不同形状尺寸:不同波型的声束边界用可用式(1),(2)计制:sinyi/ci=sin2c2(1)Sinv=FD(2)式中:Y为折射角(此处为551C为声速(工件中纵波声速=5.95mms,横波声速cs=3.23mmus;聚苯乙烯楔块中纵波声速cp=2.4mms:人为介质中的波长;D为圆晶片直径:F为扩散因子。表1不同声压下降值时的扩散因子F声压下降一dB参数61220扩散因子F0.510.701.08因为扩散因子数据是关于圆晶片的,而阵列探头阵元是方晶片,需要用式进行换肾:D=211(3)式中:为方晶片的边长.边长为3mm方晶片,频率为5
7、MHz,折肘角为55。的横波和纵波斜探头,以及晶片边长为24mm,频率为5MHz,折射角为55的纵波斜探头,在钢中等声压线为-6/2.-2OdB时的边界角计算结果如表2所示,绘制的探头超声波束扩展情况如图3所示。表2不同晶片尺寸,不同波型时的波束声压边界角()方一片尺上边界仅下边界一d波中寸mm-6(1B-12c1.B-20(IB3横波63.1/17.767.0/45.276.6/40.23纵波79.0/10.390/35.690/26.724纵波57.0/52.857.9/52.159.6/50.6图3不同晶片尺寸探头、不同波型时的波束声压边界角根据计并结果讨论晶片尺寸和波型对波束边界角的影
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