GB-T 44334-2024埋层硅外延片.docx

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1、ICS29.045CCSH82三B中华人民共和家标准GB/T443542024埋层硅外延片Si1.iconepitaxia1.waferswithburied1.ayers2024-06-23爱布2025-03-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会目次前三111范围12规范性引用文件13术语和定义14产品分类25技术要求25.1 衬底材料25.2 外延层5.3 jttttt5.4 表面金隅5.5 表面侦Ift5.6 边缘5.7 其他6成脸方法767.1 检查与登收67.2 组批67.3 检验项目67.4 取样675检验结果的判定68标志、包装、运输、贮存和随行文件78.1 标志和包

2、装78.2 运输和贮存88.3 防行文件89订货单内容本文件按照GRrr1.1-2020M标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则？的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的货任.本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SACTC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SACC203JSC2)共同提出并归口。本文件起草单位：南京国盛电了有限公司、西安龙威半导体有限公司、上海晶盟徒:材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶园半导体科技有限公司、南京盛蓝半导体材料有限公司、有色

3、金属技术经济研究院有限责任公司、河北普兴电子科技股份有限公司、盖泽华矽半导体科技(上海)有限公司、赛品亚太半导体科技(浙江)有限公司。本文件主要起草人：仇光黄、王银海、谢迸、骆红、贺东江、马林宝、顾广安、李慎重、李春阳、徐西昌、徐新华、袁夫通、刘小百、米姣、周益初、张强.I1.1.埋层硅外延片1ma本文件规定了埋层桂外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检/规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订优单内容。本文件适用于具有埋层结构的硅外廷片的生产制造、测试分析和城麻评价,产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。2期6性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条

4、款.其中，注11期的引用丈件,仅该日期对应的版本适用于本文件：不注H期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB.T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收顺审限(AQ1.)检索的逐批检验抽样计划GB16617珪片电阻率测定扩展电阻探针法GBT6624徒拊光片表面砥最目测检会方法GB.T12964硅总品她光片GB，T13389搀州掺璘掺部硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB.T14139硅外延片CiB1T14141硅外延层、扩散层和禹子注入层薄层电阻的测定出排四探针法GBT14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB

5、T14146硅外延层软流子浓度的测试电容-电压法GBT14264半导体材料术语GBjT14847正掺杂衬底上轻惨杂硅外延层厚度的红外反射测法方法GBT19921硅抛光片表面颗粒测试方法GBT24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法GB,T29507硅片平整度、耳度及总厚度变化冽试自动非接触扫描法GB,T32280硅片热他座和弯曲度的测试自动非接触扫描法GBr3531()2(X)mm硅外延片GBT39145硅片表面佥加元素含才的测定电感合等离子体质谱法Yyr28硅片包装3*三WtXGB.T14264界定的以及下列术语和定义适用本文件。3.1si1.iconepiuxh1.wafer

6、swithburied1.ayers在埋层上外延生长下导体硅单品薄膜层获得的晶片。4产品分类4.1 理层睚外比片按外延层导电类型分为n型和P型。n型外延层挎杂元案为除或坤，p型外延层拷杂元素为硼，4.2 埋层碎外延片按心径尺寸分为76.2mm、K）0.0n11n、I2S.Omm、150.0nun,200.0mm等规格。4.34 层硅外延片按晶向分为C1.D、100）,m15.2.2ImMt现层徒外延片的外廷层电阻率及径向电阻率变化应符合表I的规定.4外M电阻率及断电阻率文化电阻率Q1电讯率允许偏里径冏电用率变化(RY)0.01-100310015%19%&23JUtKfiiweKt埋层徙外延片

7、的外延层厚度及径向厚度变化应符合衣5的规定.5外匐M收及径械度变化原度Mn厚度允许低整径向原度变化(N)I-BO9W於62.4纵向电的分布及过.ij区241埋层硅外延片的外延层纵向电阻率分布由供需双方协商确定,5.2.4.2埋层徒外延片的外延层过汹区宽厦应小外廷层厚度的15%,或由供需双方协商确定，S25MMGKtt现层珪外延片外延层的位锚密度和层错密度均应不大于10个/CnA5.3 几何f1.t埋层硅外延片的几何参数包括总厚度变化、总平整度、局部平整度、弯曲度、翅曲度等，不同直径的埋层硅外廷片的几何参数应符合GB,T14139,GB,T35310中相同直径的产品的相关规定.5.4 *3*埋层

8、硅外延片的表面金属应符合表6的规定.6取11畲量atosc11z饮、校、如、评.第S取金属杂历离子3IO,O伯,快.雷、W.构等较公属余亚寓子51.05.5BM理层硅外延片的正表面防1.it和背入面质量应符介GB,T14139.GBT35310的规定.正表面质以包括滑移跳、颗粒(局部光散射体八门坑、冠状边缘、划掖、橘皮、波税、裂蚊、鸦爪、雾、崩边、沾污等.不同直径的埋层睢外延片的衣面质信应符合GB,T14139.GB.T35310中相同直径的产乩的相关猊定，5.6 边缘埋层硅外廷片的边缘应光滑、无破损.5.7 其他需方如对埋层硅外延片有其他要求时，由供需双方协商确定并在订货单中注明。6试验方法

9、6.1 理层硅外延片注电类型的悔验按GBrr1550的规定进行，6.2 电阻率和搀杂浓便换算按GB,T13389的规定进行.6.3 埋层硅外廷片外廷层的图形涕移率和图形的变率用台阶仪或放大倍数大于5。倍的显微镜测试.6.4 埋层硅外延片外延层的电阻率测试按GB,T14141或GBjT14146的规定进行，仲裁检於按GB,T14141的方法进行.外延层的径向电阻率变化按公式3计算.RV依X100%(3)A-+式中：RV外延层的径向电阻率变化：P中心点以及在平行于与垂宜于主参考面或Ech的两条直径加调边6mn出mn而5点位遥处电阻率测量值的最大值.或中心点以及在平行于和率直于主参考面或noth的两

10、条直径上1/2半径以及用周边6mmf1.mm的9点位置处电阻率测衣值的最大值.电位为欧姆厘米(Qm):PMinF中心点以及在平行于与垂出于主参考面或Mh的两条R径上距周边6m111.mm的5点位置处电皿率测出值的最小值.或中心点以及在平行于和至宜于主参考面或的两条点径上1/座径以及距周边6mmt1.mm的9点位置处电阻率测冰值的最小值.照位为欧姆厘米(QCm).6.5 埋层硅外近片外延层的厚度测试按GB“14抬7的规定进行。外延层的径向厚度变化按公式4计算。TV=,x00式中：TV外延层的径向厚度变化：TMaX中心点以及在平行于与垂直于主参考面或n3d)的两条口径上距周边6mn1.mm的5点位置处的厚度测量值的最大值，或中心点以及在平行于和把H于主参考面或nmch的两条直彳色h1./2半径以及即同边6mm1.mmfXj9点位置处厚度冽Ift值的最小Gi,单位为微米(UmXTim一中心点以及在平行于与垂直于主参考面或notch的两条巨径上距周边6mintImm的5点位置处的厚度测量值的最小值，或中心点以及在平行于和垂H于主参考面或Nh的两条直径上1Z2半径以及距周边6M1.mm的9点位更处厚度测疝值的最小曲单位为微米(Umh6.6 埋层硅外延片外延层的纵向电阻率分布与外延层过渡区窕