增材制造制件表面结构测量的特殊考虑.docx
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1、附录A增材制造制件表面结构测量的特殊考虑A1.增材制造的一般考虑当测后品格结构和其他具有复杂内部几何形状的制件时.表面结构测玳通常受光学系统视线访问要求或接触式测证系统接触访问要求的限制。墙材制造制件表面测量通常需要考虑阶梯效应,如图1,成形角度和层/切片厚度往往是侧表面形貌的主要影响因素.图AT阶梯效应示意ISA-2粉末床熔融增材制造的考虑A1.1粉末床烙融工艺中粉末与能电源相互作用,粉末床爆融制件表面带来的一些更常见的挑战(见图A.2)有:大的测量范用:-球状突出物: 表面/亚表面孔: 反时率的变化: 博兴趣区域尺度范围大:一凹角特性.A.1.2附著在侧面的粉末和落在上部表面的飞裁颗粒都行
2、助于在表面上产生大的突出物。去面高度范围进一步增加了任何表面孔隙或谷区的存在,这些凸起和凹馅受限于垂宜扫描范围限制的刈量技术带来T挑战.采用更大的测破蒐国通常意味着垂直表面形粒的可型包性误差大于测fit相对平坦的测试表面时存在的误差。A.1.3光学特性如反射率会基于扮末床熔融所使用材料类别及制件不同表面而不同,这将给光学测仪技术带来干扰,如由于表向孔隙或山谷区域的存在.偌要使用高强度光线来捕捉反射光线获得表面数据,但金典粉末床熔融制件表面在熔化和凝固过程中也会产生非常光滑的区域,具有较高的反射率,该区域在高强度照明的光学仪器中易产生过他和图像.这将使合适光学测成参数的确定变褥困难.A.1.4粉
3、末床怖歌制件表面遹常具有很宽的空间波长范围.这些表面通常具有数百微米大小的大尺度成分(例如熔融轨迹或层,以及飞激,未婚化和半烧结粉末以及其他外生粒子,它们的特征是几I微米大小,衣面上通常还存在史裔的空间频率成分,如几激米大小的熔融波税。图A.2粉末床熔融制件表面的特征和挑战A.1.5在粉末床培融工艺中,粉末和材料、成形工艺参数、支推移除、后处理及表面将加工均对最终的表面形貌有影响,这些特征也同时对灰面结构有影响.对所产生特征相对尺度的了解将有助于理解各种测出技术的局限性,并有助于测段计划的制定.W录B(资料性)测量参数B1.触针轮廓仪金属PBF衣面上存在的各种难以测显的特征,如飞溅物、粘附颗粒
4、,孔隙、裂纹、处垂、阶梯状过波等或杂结构可能会投坏设备本身,此外,该方法该还可能导致触针飞行和待5件表面损坏。但由于触针式轮廓仪与表面的相互作用可更容易建模,该方法通常被认为是可追溯的(如果校准).触针轮廓仪测量粉末床熔融增材制造金属制件表面与传统机加表面类似.但该表面特征的复杂性及不均一性会影响到测Jft参数的设置.B.2光学系统B.2.1颤述光学系统本质上是非接触犬测量,该方法排除了因触针机械接触而!月文的试样损坏风哙,但也使得制件与仪器之间相互作用的建模困难,从而导致可追溯性差,并难以与接触式进行比较.光学测量通,常比接触式快.尤其是区域测量时.光学系统利用物镜提供一定程度的放大倍率并具
5、有数值孔径光学分辨率被定义为区分点的能力,与NA有关。具有较高电(发现具有较高的放大倍率)的初镜UJ以允许逐渐做斜的光线进入并且旎修分辨技小的特征.B.2.2变焦三维表面测量仪8. 2.2.1由于变焦系统Ur利用漫反射来避免物镀数值孔径的限制,所以目前商用的变焦系统尤其适用于粗糙去面和坡度较大表面的测崎,因此,通常不能用该系统来测,光滑表面,因为在这种情况下,该系统用于确定入面位置所需的同部对比度不存在,问时,也不能用该系统来测量透明和半透明材料(同样由于局部对比度不存在),但通过一些适当的方法(如硅股成型修饰表面,则可能使测最可行.9. 2.2.2变焦系统本质上也提供颔色侑息,可以描述在形貌
6、数抠中无法识别的特征被表征(如表Si氧化等)10. 2.2.3变供系统常用的可调测电参数有物镀放大倍数、垂直采样分辨率、横向采样分辨率和照明类型。一一物镜放大倍数,应根据所需要的塔兴峡区域尺度来选择物镜放大倍数,即较小的特征皤较高的放大倍数.而大视场需较低的放大倍数.通常.即使是在低放大倍数下,该系统也有足够的数值孔径来桶捉粉末床熔融制件的衣面特征得一一率直分疥率,应权衡诙出采样分辨率,以提高测过的由班性误差,同时不引起太多的未测量点。上表面一般具有较低的未测量点在测量上表面时宜使用高的垂直分辨率(较低数祖,从而提高测最精度.侧表面一般具有技高的未测量点.在测及侧表面时宜使用较低的垂直分辨率(
7、较犬数伯),即以降低数据顺辰(增加里:复性错误)为代价来降低未冽圻点.一-横向分疥率,应地乎测收时感兴趣区域的独小尺收来进行横向分辨率的选择,然而,用户应使用能够捕获感兴趣特征的被低分辨率以降低未测域点。-照明类型.应基于表面的类型、材质和取向以及充分照明表面但不造成图像对比度向(里光不足或过度)的能力来选择照明类型, 同轴光(通常是默认的)足以照亮上表面。 环形光。环形光埴加了照明的孔径,可在侧表面上使用,以控制曝光量,即既不过度饱和(主要针对顶部颗粒),也不欠啾光(主要针对孔隙等凹坑). 偏振光.可刖来测最更多的反射衣面,以克服出现在粒子衣面的过度跟光.对于具有类似噪声、虫复性误差和未测减
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