车规级IGBT模块封装趋势.docx
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1、车规级IGBT模块封装趋势电动汽车近几年的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。各种各样的封装技术追求的目标是更高的功率密度,更高的散热效率,更高的可匏性及其更低的成本。一、散热器概念1、散热器Pinfin概念Pinfin概念是2010年日本H公司提出的,后来在HPD以及SSC的散热器都用到了该结构。上面图中这些参数用软件一顿计算,可知道什么样的PN结构效率更高。有时因为生产工艺的限制,结构再漂亮,不一定生产得出来。后来市面对pin的结构优化也随着制造工艺能力的提升,玩出花来,形状各异不说,还有根据冷却水流向云图来定制的PIN。也有用键合铝带的思路来实现的,好像只有IFX曾经玩过。带pin
2、fin产品能力提升大约30V40耻匕例,这个成本比芯片面积减小的收益,结果是让人开心的。2、DSC概念DSC概念是在2005年左右由H还是D先提出来的。国内2010年左右也论文爆发,但是落地项目,大家还此相当谨慎,市面上能看到的产品也不多,ON.HW.IFX.DENSO.也有衍生出其他产品。DSC在散热上,上下比例大概也是8-2开,另外一个收益就是杂感有机会降低。在这条线上的DCIPhi也混的不错,器件尺寸能缩到很小,在OBC系统中,体积优势尤其突出。(De1.phi的概念)关于DSC,也有一些证伪的验证,始终无法落地,当他是2.45代吧。如下:芯片上面焊接连接采用预沉积30Um厚的铜柱再研磨
3、抛光再做焊接,这对上层互联用的DBC的平面度要求更高,warpage大了,就导致个别凸台无法接触,Vfd的数值比较大,手工件如此,可靠性的测试就没啥人做,数据更少了。其中一个优势一一免除所有键合线:晶圆工艺的成本不知道能不能抵得过封装流程简化的成本。3、D1.B或C1.iP互联在芯片表面镀层能可靠焊接之后,大家的想法也更加丰富了;直接将芯片表面与外部电气接口,通过一个c1.ip整体,直接连在一起,gate也有机会如此。这对焊接技术要求很高,良率上不去,成本下不来。这类正面连接的技术路线,不再使用粗铜铝线进行互联,键合设备的需求会降低,贴片设备需求增高。4、水道直冷焊接技术随着功率密度不断提高,
4、散热要求越来越高。硅胶、硅脂、碳膜等TIM技术也提升了很多,但还是不够牛逼。接着就开始探索直接焊接或者烧结,大而积银烧结技术走的更快,但银音贵,在成本上控制不住,收益不明显,有条件不如加大芯片面积。大家乂继续折腾SO1.dering焊接技术,用卖材料的兄弟的话说,碰到做IGBT的都在做直焊这个事,也不见谁能突破,多元合金材料也送出去不少,还没见谁有采购的意思。既然难,就不瞎说太多。(网图BXX的宜焊产品图)还有其他概念的,如ABB的压接技术,冷焊,激光焊技术。二、模块封装概念目前汽车厂商主流的几种模块应用解决方案,大概分为以下几种:分立器件:1in1:2in1.:6in1.:A1.1.in1(
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