GB_T 4937.35-2024 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查.docx

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1、ICS31.080.01CCS1.40GB中华人民共和国国家标准GB/T4937.352024/IEC60749-35：2006半导体器件机械和气候试验方法第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查Semiconductordevices-MechanicalandClimatictestmethods-Part35：ACoUStiCmiCroSCoPyforPlaStiCenCaPSIJIatedeleCtroniCComPonentS(IEC60749-35：2006,IDT)2024-07-01实施2024-03-15发布国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会半导体器件机械和气候试验方

2、法第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查1范国本文件规定了空封电子元器件进行声学显浅镜检造的程序.本文件提供了一种使用声学显浅镜对史料封装进行玦陷（分层、裂纹、模史料空洞等）检杳的方法,本方法具有可田复性,是非破坏性试验.2规范性引用文件本文件没有规冠性引用文件.3术语和定义下列术语和定义适用于本文件.3.1AiS式A-mode在给定的声学显技镇所镇达到的最小X-Y-Z区域内采集声学数据.注：A模式图像反狭条电和相位（极性）的X-Y平面中J一点传脸时何的变化.本国验方法中.A模式主要用于对声学显恭谓迸行整除.如图1所示.图1A梗式扫描示例3.2B模式B-mode使用反射声学显微境沿着X-Z

3、或YZ平面深度方向采集声学数呢.B模式扫描反映拆幅和相位（极性）随扫描线上各点传输时间的变化.注：B模式扫锚提供沿扫Jg线（X或Y）的二维（或曲）图像.本诚验方法中上模式用来提供或面;S学信息.臼铭时，B模式修迫苍繁陷的厚度.如图2所示.图2B模式扫描示例（左图下半部分）3.3基板背面观察区back-sidesubstrateviewarea模塑料与基板平面外边界以内的基板背面间的界面.注：见附录A1JftSIV.3.4C模式C-mode使用反射声学显微废在X-Y平面沿深度（Z）采集声学数据.注1C模式扫锚包含扫描平面内各点的SK幅和相EH极性）信息.C模式扫Sg提供从某一深度（Z）反射回来的

4、声波形成的二维（区域）图像.如Ha3所示.注2：C模式是标准【EC60749-20对踹杵遗行扫描判定的首选模式.图3C模式扫描图像示例3.5透射模式throughtransmissionmode使用透射声学显微篮在X-Y平面沿整个深度（Z）采集声学数据.注：透射模式白Ia只包含总瞄平面各点的振Ia信息.透射横式总他毋供穿透磬个择品（元四件）淳度（深度Z）的附录D（资料性）设备设置扬数检查清单设备设置参数检查清单参见表D.I.本射录中的设置参数大部分可使用特定承制方或设备的默认值，并记录基于某些样本和批产品的特殊设置更改.*D.1设备设道参数板在清单设置配置（数字式设置文件名和内容）校准程序和使用的校准/参考标准换能器 承制方 型号 中心频率 序列号 直径 水中焦距扫描设置 扫描区域（X方向） 扫描步长水平方向垂直方向 显示分辨率水平方向垂区方向.扫描速率脉冲发生器（接牧器）设翼.增益 带宽.脉冲 功率 接收那衰减.阻尼 i波器 回波福伯