GB_T 43885-2024 碳化硅外延片.docx
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1、ICS29.045CcSHK3OB中华人民共和家标准(/T438852024碳化硅外延片Siliconcarbideepitaxialwafers2024-04-25发布2024-11-01融国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作林期第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草.请注意本文件的某些内容可能涉及专利-本文件的发布机构不承担识别专利的责任.本文件Hl全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SACrrC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAcTrC2O3/SC2)共同提出并归口。本文件起以单位:曲京国盛电子有限公司、
2、广东大域半导体股份有限公司、上海大岳半导体材料有限公M、北京天科台达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份行限公司、TC1.环鑫半导体(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛武半导体材料有限公司、山西琼科品体力,限公司、河北普兴电子科技股份彳邛艮公司、安徽长飞先进半导体彳j眼公司、中电化合物半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技布限公司、杭州乾晶半导体方限公司、湖南三安半导体行限责任公M、浙江晶春电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶窗有限公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装掠
3、与技术研究院有限公司、连科半导体有限公司.本文件主要起草人:李国鹏、仇光寅、刘勇骆红、李素为、丁雄杰、舒大宇、余宗群、冯沧、杨玉聪、王伽、健武薛宏伟、中阳郑、金向军、渊蹴、力版王岩、接触、李毕庆、陈浩、裳蒙歌、冏助、文张银汪之涵、黄勤金、赵H丽H、杷动力、和巍域,穰化硅外延片1 a本文件烦定了碳化硅外妊片的产品分类,技术要求、试脸方法、检验规则及标志、包袋、运输与贮存、随行文件和I货单内容.本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化徒电力电子器件。2 IKK性引用文件下列文件中的内容通过文中的观苑性引用而构成本文件必不可少的条款.其中.注日期的引用文件,仅
4、该日期对应的版本适用于本文件:不注日期的引用文件,JMd新版本(包括所有的修改单适用于本文件.GH/T2828.1-2012计数抽样验验程序第I部分:按接收质显眼(AQ1.)检索的逐批检险抽样计划GB/T6624硅抛光片去面质透目测检验方法GB/T11116硅外延层我流子浓度测定电容-电压法GIVTl4264半导体材料术语GB/T199211硅拊光片表面颗粒洒试方法GB/T29505硅片平坦衣面的表面IU糙度测fit方法GBZT30656碳化硅单晶烛光片GB/T32278成化硅单晶片平整度测试方法GB/T39145硅片表面金属元素含量的测定电感燃合等离子体质谱法GBZT42902碳化硅外延片表
5、面缺陷的测试激光散射法GB/T42905碳化硅外延层厚度的测试红外反射法YSnr28硅片包装3术诏和定义GIJ/T14264界定的术语和定义适用于本文件.4产品分类4.1碳化硅外延片按外延层导电类型分为n型和P里.n型外延层载流子元素为翅,P梨外延层我流子元素为铝.4.2 碳化硅外延片按直径分为76.2唧、IoCl.0an.150.0im、200.0m等类型。4.3 碇化昧外延片按品里分为4H和6H,5技术戛求5.1 总财微化硅外延片合格质嫉区(FQA)的边缘去除要求符合&I的现定.1边去除区应径边缘去除K,76.2ZO100.03.0150.03.0200.0XO5.2 wmm碳化硅外廷片用
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