AD698 PDF 翻译.docx

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1、AD698PDF翻译产品描述：AD698是单片式线性位移差分变压器(1.VDT)信号调理系统。D698与1.VDT协作，能够高精确和高再现性地将1.VDT的机械位移转换成单极性或双极性的自流电压。D698具有全部必不行少的电路功能，只要增加几个外接元源元件来确定激磁频率和增益，就能把1.VDT的次级输出信号按比例地转换成直流信号。该器件能够操作半桥式1.VDT,有反向线圈连接配置的1.VDT(4线1.VDT),和RVDT0AD698包含了一个用于驱动1.VDT初级线圈的低失真的正弦波振荡器。AD698的两个同步解调通道用于检测1.VDT的初级和次级电压振幅。该部分依据初级的电压振幅乘以一个比率

2、因广来分别次级的输出。这样就消退了由于给初级线圈偶然而来的激励而造成的比例因子的错误，提高了温度性能和程定性。AD698运用独特的比例架构消退了与传统1.VDT接口相关的几个缺点。新电路的优点是：不须要解调：提高了温度稳定性；提高了传感器的互换性。I-VDT是一种机械-电子传感器，其输入是磁芯的机械移动，输出是与磁芯位置成正比的沟通电压信号。两种比较常用类型的1.VDT是半桥类型的1.VDT和有反向线圈连接配置的1.VDT（4线1.VDT）两种类型的1.VDT都是一个铁芯在线圈中移动。有反向线圈连接配置的1.VDT由一个初级线圈和两个反向串联的次级线圈组成，初级线圈被一个外部正弦参考源驱动。经

3、过串联的次级输出电压会随着磁芯从中心位置的移动而改变。移动的方向可以通过测量输出的相位来探测到。半桥式1.VDT有一个有中心抽头的一对一线圈其工作原理类似自耦线圈。激励电压施加于整个线圈，中心抽头的电压与位置成正比。该设备的行为类似于电阻分压器。图5功能框图D698给1.VDT线圈一个激励信号,然后检测1.VDT的输出电压，并产生一个与磁芯位置成正比的直流电压。AD698有一个正弦波振荡蹈和一个功率放大器来驱动1.VDTe两个同步解调器可以同时解码初级和次级线圈电压信号。A解码器确定了输出信号电压到输入信号电压的比率（A/B）。滤波等级和输出放大用于输出结果的比例调整。振荡器中包含一个多谐振荡

4、器，该多谐振荡器产生一个三角波，并驱动正弦波发生器产生一个低失真的正弦波，正弦波的频率和幅值由一个电阻器和一个电容器确定。输出频率在20Hz-20kHz可调，输出有效幅值在2V24V可调。总谐波失真的典型值是50dBoD698通过同步解调输入幅值A（次级线圈侧）和一个固定的参考输入B（初级线圈侧或固定输入）。早期解决方案的共同问题是驱动振荡器幅值的任何漂移都会干脆导致输出增益的错误。D698通过计算1.VDT输出与输入激励的比率消退了全部的偏移影响，从而避开了这些错误。AD698不同于D598型的1.VDT信号调理器，因为它实现了一个不同的电路传递函数，并且不要求1.VDT次级线圈（A+B）是

5、一个随行程长度而定的常量。AD698的原理图如下所示。其输入由两个独立的同步解调通道组成。设计B通道是用于监视1.VDT的驱动激励。全波整流电路经过C2滤波之后送入计算电路。,A通道的作用与B通道相同，但是它的比较器用脚是单独用出来的。因为在1.VDT处于零位的时候，A通道可能达到0V,所以A通道解调器通常由初级电压（B通道）触发。另外，可能还须要一个相位补偿网络给A通道增加一个相位超前或滞后量，以此来补偿1.VDT初级对次级的相位偏移。对于半桥电路相移是不重要的，因为A通道的电压足够大可以驱动解调器。图6AD698原理图BCHANNE1.B通道ACHANNE1.A通道DEMODU1.ATOR

6、解调器FI1.TER滤波器DUTYCYC1.EDIVIDER占空比安排器一旦二个通道信号被解调和滤波后，再通过一个除法电路（用于实现占空比乘法器）来计算比率A/B,除法器的输出是一个矩波信号。当A/B等于1时，矩形波的占空比为100%o（假如须要一个脉宽调制输出可以运用这个信号）。占空比驱动一个调制电路和滤波器即与占空比成比例的参考电流源。输出放大器测量500的参考电流并把它转化成一个电压值。当IREF=500A时，其传递函数如下:VOUT=IREFBR2,当IREF=500UaAD698的连接电路在单电源或双电源电路中AD698可以便利的连接，如下图7,图8,图13所示。下面的几个设计例程展

7、示了对于任何I.VDT该如何选择外部元器件的值来满意AD698的输入/输出标准。对于A通道和B通道的连接来说，A通道的比较器取决于运用的是哪种类型的传感器。一般遵循以下设计准则：外部无源器件的参数设置包括：激励频率和振幅；AD698的输入信号频率：比例因子(VZinch)0除此之外还有一些可选特性：零点偏移调整，源波和信号集成可以通过增加外部元器件来完成。图7双电源操作，半桥1.VDT接线图设计程序双电源操作图7展示了半桥式1.VDT的接线方法。图8展示了3线和4线1.VDT接线方法，两种方法都运用的是15V电源.确定振荡器频率频率通常由系统所需带宽来确定。然而在一些系统中频率要依据1.VDT

8、手册建议的零相位频率来设定。在这种状况下跳过步骤4.1.确定1.VDT位移测量系统所须要的机械带宽，fSUBSYSTEM,o对于这个例子假设fSUBSYSTEM=250Hzo2 .选择1.VDT最小的激励频率，也许为10fSUBSYSTEM因此，激励频率=2.5kHzo3 .选择一个工作激励频率在2.5kHz的合适的1.VDT.比如：SChaeVitZElOO型1.VDT其操作频率在50HZ到IOkHz是对这个例子来说一个合适的候选者。4 .确定激励频率来确定元器件Cl的值，Cl=35uFHz/fEXCITATION图8有反向线圈配置的1.VDT的D698双电源操作的接线图B.确定振荡器的幅度

9、幅度是这样设定的：当1.VDT在它的机械位移最大位置（全耦合？）时候，初级信号幅度范围为1.0V到3.5V均方根值：次级信号幅度范围为0.25V到3.5V均方根值。以上是在最优化的线性度和最小的噪声敏感度条件下的值。假如器件是成比例的，激励信号的精确数值，相对来说就不那么市要了。5 .确定1.VDT最佳的激励电压VEXC对于一个四线式1.VDT来说，要确定其传感器机械位移改变下的电压变换比VTRVTR=1.VDT的敏感度最大行程长度。1.VDT的敏感度一般会在1.VDT的制造商的产品节目中列出。其单位一般为输出伏特每伏特输入每英寸位移（即V/V/inch）.ElOO系列的1.VDT的敏感度为2

10、.4mvvmi1.假如1.VDT的敏感度没有在制造商的产品书目中给出，该敏感度值是可以计兑出来的。见确定1.VDT敏感度章节。在1.VDT机械最大位移状况下（最大机械行程），用VTR乘以初级激励电压得到预期的次级电压。例如:一个1.VDT的敏感度为2.4mvvmil,其最大行程为OJinch(=100mil),那么该1.VDT的VTR=0.0024v/v/mil100mil=0.24。假设最大的激励为3.5V均方根值，那么最大的次级电压输出应当在3.5V均方根值（rms）0.24=0.84V均方根值（rms）以内,是可接受的范围。相反的VTR值也可以准确的进行测量。依据1.VDT制造商供应的资

11、料，给1.VDT初级输入一个特定的驱动电平VPRI（primary初级）：设置1.VDT的中心移动体的位置到其最大行程，然后测量1.VDT的次级输出电压Vseco计和1.VDT的电压转换比VTR.VTR=VSEC/VPRI.如用以上方法测得ElOO1.VDT传感器，VSEC=0.72v,VPRI=3V,则VTR=0.24.在1.VDT的敏感度特别低，或者机械行程的长度特别小的状况下。1.VDT的输入激励须要超过3.5Vrms（依据后面描述状况这里可能为小于3.5VrmS）;在这种状况下可能须要在1.VDT的初级放一个分压器网络，为+BIN和-BIN供应一个小的电压输入。例如：假如添加一个分压器

12、网络将B通道的输入分掉2,那么为了选择元器件VTR也应当削减1/2。检测供电电压通过验证VA和VB的峰值电压最小在2.5V小于+VS和VS6.参考图9,在Vs=15V的时候，选择幅度的值确定了器件Rl的值，如图9曲线所示。图9见文档第7页（图9激励电压Vexc与Rl的关系）7.C2,C3和C4是AD698位置测量子系统所要求带宽fSUBSUSTEM的函数，原则上，他们的电容值应当相等，即C2=C3=C4=10-4（法拉HZ）/fSUBSYSTEM（HZ）例如：假如系统要求带宽为250Hz,则C2=C3=C4=10-4FHz/250Hz=0.4F关于）698的带宽和相位特性的更多信息见图14,图

13、15和图1600.设置传感器满量程时的输出电压8.R2用来设置D698的增益和满量程时的输出范围。计算R2时须要以下相关参数：a. 1.VDT的敏感度S.它的值可以在生产厂家书目手册中查到，单位是V/V/mile,其物理意义是每英寸的位移每伏特的输入对应的电压输出伏特。b. 1.VDT的磁芯从零位到满量程的位移d.Sd=VTR也等于在机械满量程时的A/B的比率，VTR应当转换其单位为V/V.对于满量程值d英寸，AD698的输出电压如下计算:VOUT=SdR2其中，Vout是相对于参考信号（芯片引脚21脚）的输出，见图7；解得R2的值：R2=VOUT/（Sd500u）（1）例如：对于满量程输出V

14、OUT=IOV（20V的跨度），满机械d=0.1英寸（0.2英寸的跨度）R2=20V/（2.40.2500u）=83.3KVOUT为位移的一个函数，对于上述的例子（参数）其表现如下：图图IOVOUT（10V满量程），传感器芯位移（0.Iinch）E.可选的输出电压摆幅偏移9.R3、R4可实现正、负输出电压补偿调整。VOS（补偿电压）=1.2VR2l（R3+2k）-1（R4+2k）（2）假如不须要正负电压补偿R3、R4应当被开路。上述VOS为正或负的电压补偿值为了设计一个电路，当传感器的位移在+0.1英寸时，电路输出在OV到+10V.可以设Vout=+10V,d=0.2英寸，然后接方程（1）,便

15、可以得到R2的值。图图11Vout（5V满量程），传感器芯位移（0.1英寸）以上将产生的响应如图11所示。在方程（2）设Vos等于5V然后解R3和R4.因为想得到一个正的偏移，让R4处于开路状态（R4开路,R4无穷大），市新布置方程（2）,然后解R3R3=（1.2R2）Vos-2k=7.02k留意选择Vos的值，让R3的值不至于为负值。图12显示了期望得到的响应。图图12Vout（OV-Iov满量程，传感器芯位移（0.1英寸D单电源设计步骤图13显示了单电源供电时的链接状况。图图13单电源供电电路图图中名词说明PHASE1.AG相位滞后（网络）：PHASE1.EAD相位超前（网络）：ArcTan为数学中的取反正切运算R=RS(Rs+Rt);其中R的值为RS并联(RSRt)的值对于单电源供电操作，从双电源操作的步骤1起先重夏操作，到下面的步骤10。R5、R6和C5是增加的待确定的值。VOUT的值依据信号基准来确定。10 .计算R5和R6的最大值要依据以下关系进行：R5+R6VPS/100uA11.R5上的电压压降必需大于2+10k1.2V/(R4+2k+250u+Vout/(4R2)伏因此：R52+