IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计.docx
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1、1引言本次课程设计的题目是IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计,依据电力电子技术的相关学问,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,及整流电路相比较,把直流电变成沟通电的电路成为逆变电路。当沟通侧接在电网上,称为有源逆变;当沟通侧干脆和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。电力电子技术课程设计是电力电子技术课程理论教学之后的一个实践教学环节。其目的是训练学生综合运用学过的各种变流电路原理的基础学问,独立完成查找资料、选择方案、设计电路、撰写报告的实力,使学生进一步加深对变流电路基本理论的理解和基本技能的运用,为今后的学习和工作打卜.坚实的基础。2工作原理概论2.1IGB
2、T单相电压型半桥无源逆变电路2.1.1单相电压型逆变电路(1)半桥逆变电路结构及其工作原理明和匕栅极信号各半周正偏、半周反偏,二者互补。输出电压U.为矩形波,幅值为Um=Ud/2,输出电流1.波形随负载而异,感性负载时,%或1.通时,k和U“同方向,直流侧向负载供应能量,VDl或VB通时,1.和U.反向,电感中贮能向直流侧反馈,VDl.VD?称为反馈.极管,还使。连续,又称续流二极管。单相半桥电压型逆变电路及其工作波形优点:简洁,运用器件少。缺点:沟通电压幅值UJ2,宜流侧需两电容器串联,要限制两者电压均衡,用于儿1.以下的小功率逆变电源。2. 1.2IGBT绝缘栅双极型晶体管IGBTdnsu
3、latedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSl-ET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。特别适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。2.2 电压型逆变电路的特点及主要类型依据直流侧电源性质的不同可分为两种:直流侧是电压源的称为
4、电压型逆变电路;直流侧是电流源的则称为电流型逆变电路。电压型逆变电路有以卜.特点:直流侧为电压源,或并联有大电容,相当于电压源。直流侧电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗。由于直流电压源的钳位作用,沟通侧输出电压波形为矩形波,并且及负载阻抗ffj无关。而沟通侧输出电流波形和相位因为负载阻抗的状况不同而不同。当沟通侧为阻感负载时须要供应无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给沟通侧想电流侧反馈的无功能量供应通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。又称为续流二极管。逆变电路分为三相和单相两大类。其中,单相逆变电路主要采纳桥式接法。主要有:单相半桥和单相全桥逆变电路。而三相电压型逆变电路则是由三个
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