H桥电路原理与H桥驱动电路设计主要结构 (课件).docx
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1、OlH-桥电路基础1 .简介当你实际使用桥电路的时候也许就会意识到,很多电路特性实际上并没有在网络资料中说明清楚。uM-H桥电路模块虽然作者尽量避免涉及到H桥电路、电机控制原理等更深入的理论,但还是希望读者对于基本电子元器件的特性(比如、电阻、电容、电感、电路网络原理等)能够熟知,否则也无法看懂他已经进行简化并通过图例、表格进行梳理的内容。2 .基本结构H桥电路与复杂很像中国汉字“日”字,如果去掉上下电源与底线,电路结构与英文字母,H”相似。在电路两边上下各自放置了四个由功率晶体管组成的“电子开关“,负载(通常是功率器件:比如电机)横亘在左右电子开关中间。电路网络结构与惠斯通电桥2相同。左右两
2、个组开关被称为两个半桥。H-桥电路基本结构功率电子开关(Q1.Q2,Q3,Q4)通常使用双极性功率三极管,或者场效应(FET)晶体管。特殊高压场合使用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)。四个并联的二极管(Dl,D2,D3,D4)通常被称为钳位二极管(CatchDiode),通常使用肖特基二极管。很多功率MOS管内部也都集成有内部反向导通二极管。H-桥电路上下分别连接电源正负极。四个功率开关可以通过驱动电路被控制打开(OPen)或者闭合(Close)。本质上四个功率管的开关状态组合应该有种,但只有其中几种不同的组合才能够真正安全用于负载供电控制。桥电路可以控制很多负载,但通常情况下会使用脉宽调制(P
3、WM)驱动波形来为直流电机、双极性步进电机等进行高效控制。02工作模式1.静态工作状态下面显示了组成桥电路四个功率开关的不同开关状态组合为负载所提供的不同驱动电源方式。比如下图中:左上右下(Q1,Q4)晶体管闭合,右上左下(Q3,Q4)晶体管断开,负载上施加有左正右负的电源电压(忽略了晶体管的导通电压)。电机正转。 H-桥电路驱动电机正向电压下图是相反的情况,通过Q3、Q2的导通,Ql、Q4的断开,电机负载上施加了相反机型的电源电压。电机反转。 H-桥电路驱动电机反向电压也有一些组合模式,是不向电机供电。比如当四个晶体开关都断开,此时电机负载相当于两端悬空。如果电机此时在运动,其转子的动能就会
4、在摩擦力的作用下逐步消耗,电机慢慢停止。下图所示的两种情况:H桥电路的上半部(或者下半部)的两个晶体管闭合,对应的另外两个晶体管断开。此时电机两端被桥电路实际上是短接在一起。电机两端电压为0。如果此时电机在运动,那么它转子的动能会通过所产生的反向电动势(EMF)在外部短路桥电路回路中形成制动电流,电机会快速制动。 电机两端电压被桥电路强制短接在一起也有一些组合是需要坚决避免的。比如下图所示的,当H-桥电路一边的上下两个晶体管同时导通(同时断开是允许的),电源就会通过这两个晶体管形成短路回路。所产生巨大的短路电流通常会毫不客气的将这两个晶体管给烧毁。 H-桥电路直通同边桥臂短路情况有时是控制信号
5、不好(没有给足死区时间),有时是功率器件不够坚强(耐压不够被击穿)。但由于关系到H桥电路的生死,所以需要精细避免。2.控制电机的两种PWM模式桥电路应用最多的场合是控制电机运动(比如特斯拉电动汽车驱动电路)。电机负载可以使用电阻Rm,电感1.m以及感应电动势Vg的串联来描述。电机运动所需要的转动力矩是由流过串联电路的电枢电流所产生,而电枢电流则是由施加在串联电路上的电压所产生。由于电机本身带有储能惯性环节(包括有电储能器件1.m以及机械储能部件转子的惯性),因此当使用高频的脉冲电压(PWM)作用在电机两端时,产生转矩的效果实际上由脉冲电压的平均值决定。为了产生驱动电机不同极性、不同幅值的电压,
6、控制电机PWM波形有两种工作模式:极性-幅值驱动模式(Sign-MagnitudeDrive),也称单极性驱动模式:驱动电机的信号有控制H桥输出极性的方向控制信号和控制PWM占空比幅值的脉冲信号;PWM占空比为O时,输出电压为0。VbatVbatVbat*maxIQldriveIIIIIIIIclosecloseclosecloseIIIIlQ2driveIIIIIIIIopenopenopenopenIIIIIIIIIQ3driveIiIIIIIIopenIcloseopencloseIIII*IIII1*Q4driveiiiiIIIIcloseIopenjcloseopenIIIIIIAs
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