模拟电路自测题答案.docx
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1、第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确,用“X”和表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(X)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(7)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(X)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Ras大的特点。假设耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,那么其输入电阻会明显变小。(X)二、选择正确答案填入空内。PN结加正向电压时,空间电荷区将A.变窄B.根本不变C变宽(2)稳压管的稳压区
2、是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=OV时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图TL3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压S=0.7%图T1.3解:UOl=L3匕=0V,=-13V,Uo4=2V,Uos=13V9=-2V四、稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值/zmm=5A求图TI.4所示电路中UOl和Uoz各为多少伏。(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UOk6匕
3、右图中稳压管没有击穿,故Uo2=5V.五、电路如图TL5所示,Vcc=15V,6=100,1be=0.7V试问:(I)Kb=50时,Uo=?(2)假设T临界饱和,那么Kb=?解:(1)s=%l=26A,RbIc=Ili=2.6mA,Uo=Vcc-IcRl=2V.图T1.5(2)VIcs=VdBE=2.86mA,Ibs=ICSIB=28.6AR:.Rb=VBB-UBE=455kCIBS六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表TL6所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。表TL6管号UGS(thVUsVUgVUdV工作状态Tl4-5
4、13恒流区T2-43310截止区T3-4605可变电阻区解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表T1.6最后一栏所示。第2章根本放大电路自测题一 .在括号内用7”和“x”说明以下说法是否正确。1 .只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(X)2 .可以说任何放大电路都有功率放大作用。()3 .放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(X)4 .电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(X)5 .放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。()6 .由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的
5、输出都毫无变化。(X)7 .只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(X)二 .试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i)图T2.2解:图不能。Vbh将输入信号短路。图(b)可以。图(C)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图不能。输入信号被电容Cz短路。图不能。输出始终为零。图(g)可能。图(h)不合理。因为GS间电压将大于零。图不能。因为T截止。三.在图T2.3所示电路中,vcc=i2v9晶体管E=IO0,=oom
6、o填空:要求先填文字表达式后填得数。(1)当q=OV时,测得Ubeq=0.7V,假设要基极电流Ibq=20A,那么A和RW之和Rb=(VCC-UBEQ)UBQ)&。Q(565)A。;而假设测得Uceq=6V,那么R,=(VCC-UCEQ)IlBQ)=(3)ZQ0(2)假设测得输入电压有效值4=5mV时,输出电压有效值=06V,那么电压放大倍数4=(-UJUi)(-120)假设负载电阻RL值与R,相等,那么带上R负载后输出电压有效值。“二(t;)=(03)VoRL+凡四、图T2.3所示电路中c=12V,=3AQ,静态管压降UCEQ=6K并在输出端加负载电阻乙,其阻值为3A选择一个适宜的答案填入空
7、内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uf)ZM(A);A.2VB.3VC.6V(2)当&=ImV时,假设在不失真的条件下,减小心,那么输出电压的幅值将(C);A.减小B不变C.增大(3)在4=1机V时,将RW调到输出电压最大且刚好不失真,假设此时增大输入电压,那么输出电压波形将(B)tA.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)假设发现电路出现饱和失真,那么为消除失真,可将(B)AR减小B.R1减小C.Vcc减小五、现有直接耦合根本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路它们的电路分别如图221、251(a)、254(a)、2.6.2和269(a)所示;设
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