传感器检测技术试题.docx
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1、传感器检测技术试题一、选择题1.金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化D、外接导线的变化2 .不能用涡流式传感器进行测量的是()A位移B、材质鉴别C、探伤D、非金属材料I3 .不能采用非接触方式测量的传感器是()A、霍尔传感器B、光电传感器C、热电偶(正彳D、涡流传感器4 .通常所说的传感器核心组成部分是指()A、敏感元件和传感元件B、敏感元件和转换元件C、转换元件和调理电路D、敏感元件、调理电路和电源5 .下列四种光电元件中,基于外光电效应的元件是()A、光敏二极管B、硅光电池C、光电管(正确答
2、)D、光导管6 .为提高电桥的灵敏度,可采取的方法是()A、半桥双臂各串联一片电阻应变片B、半桥双臂各并联一片电阻应变片C、适当提高电桥的电源电压(D、增大应变片的初始电阻值7 .一阶传感器输出达到稳态值的10%到90%所需的时间是()A、延迟时间B、上升时间(C、峰值时间D、响应时间8 .传感器的下列指标全部属于静态特性的是()A、线性度、灵敏度、阻尼系数B、幅频特性、相频特性、稳态误差C、迟滞、重复性、漂移D、精度、时间常数、重复性9 .利用霍尔片,我们可以测量一步到位哪些物理量()A、磁场;B、电功率;C、载流子浓度;D、以上全对310 .属于传感器动态特性指标的是()A重复性B、固有频
3、率1C、灵敏度D、漂移11 .影响金属导电材料应变灵敏度系数的主要因素是()A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化(:)C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化12 .电阻应变片的线路温度补偿方法有()A、差动电桥补偿法B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法C、补偿线圈补偿法D、恒流源温度补偿电路法13 .如将变面积型电容式传感器接成差动形式,其灵敏度将()A、保持不变B、增大为原来的一倍(1C、减小一倍D、增大为原来的两倍14 .交流电桥的平衡条件为()A、相邻桥臂阻抗值乘积相等B、相对桥臂阻抗值乘积相等(C、相对桥臂阻抗值比值相等D、相邻桥臂阻抗值之和相等15 .下列说
4、法正确的是()A、差动整流电路可以消除零点残余电压,但不能判断衔铁的位置。B、差动整流电路可以判断衔铁的位置和运动方向。C、相敏检波电路可以判断位移的大小,但不能判断位移的方向。D、相敏检波电路可以判断位移的大小和位移的方向。(加)16 .石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是()A、压电陶鎏比石英晶体的压电效应明显,稳定性也比石英晶体好B、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显,稳定性不如石英晶体好C、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显,稳定性也比压电陶瓷好D、石英晶体比压电陶鎏的压电效应明显,稳定性不如压电陶瓷好17 .石英晶体在沿电轴X方向的力作用下会()A、不产生压电效应B、产生逆向压电效应
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